Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 705 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 58,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 124,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 2 064,70*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 33,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 5 502,20*
50 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 49,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 3 936,00*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMNH4005SCT
kezdő: HUF 28 985,20*
50 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 3-tüskés, TO-220AB DMN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMNH4005SCT
kezdő: HUF 2 847,20*
5 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 78 706,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 2 554,90*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 59 188,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 2 116,30*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 93,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 1 127,40*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 63,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 2 135,90*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMPH4023SK3-13
kezdő: HUF 260 166,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMPH4023SK3-13
kezdő: HUF 1 283,60*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMPH4013SK3-13
kezdő: HUF 129,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMPH4013SK3-13
kezdő: HUF 2 921,00*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
Diodes
DMN6040SE-13
kezdő: HUF 49,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN6040SE-13
kezdő: HUF 2 136,30*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMP2021UTS-13
kezdő: HUF 221 685,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMP2021UTS-13
kezdő: HUF 1 290,80*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 51,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 56,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 2 697,90*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMNH6011LK3-13
kezdő: HUF 1 774,40*
5 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SPD-13
kezdő: HUF 477 217,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DI5060 DMP (1 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SPD-13
kezdő: HUF 2 891,50*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 357 375,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 2 333,50*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (2 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SSD-13
kezdő: HUF 143,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 5,2 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMP (1 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMPH6050SSD-13
kezdő: HUF 1 705,80*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (2 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMTH6016LSD-13
kezdő: HUF 149,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 7,6 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC DMT (1 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMTH6016LSD-13
kezdő: HUF 1 613,90*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9LPSW-13
kezdő: HUF 806 933,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9LPSW-13
kezdő: HUF 529,00*
db-ként
 
 db
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 800 445,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 523,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 A, 20 V, 3-tüskés, DFN1010 RV8 (1 ajánlat) 
A ROHM kis jelű MOSFET ólommentes, ultra kicsi és exponált ürítőpárnával rendelkezik a kiváló hővezető SMD műanyag tokozás érdekében. Elsősorban kapcsolóáramkörhöz, alacsony oldali terheléskapcsoló...
ROHM Semiconductor
RV8C010UNHZGG2CR
kezdő: HUF 310,535*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 A, 20 V, 3-tüskés, DFN1010 RV8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = RV8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...
ROHM Semiconductor
RV8C010UNHZGG2CR
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-346 RSR010N10 (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM
ROHM Semiconductor
RQ5P010SNTL
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növ...
ROHM Semiconductor
RSR010N10HZGTL
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növ...
ROHM Semiconductor
RSR010N10HZGTL
kezdő: HUF 109,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG1012UW-7
kezdő: HUF 48 630,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG1012UW-7
kezdő: HUF 12,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
kezdő: HUF 41 802,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN1006 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő f...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
kezdő: HUF 15,80*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN3190LDWQ (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMN3190LDWQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrás...
Diodes
DMN3190LDWQ-7
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN3190LDWQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN3190LDWQ sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség
Diodes
DMN3190LDWQ-7
kezdő: HUF 84,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 45 V, 3-tüskés, SOT-323 RSF010P05 Egyszeres (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM
ROHM Semiconductor
RSF010P05TL
kezdő: HUF 37,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4206GTA
kezdő: HUF 152,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4206GTA
kezdő: HUF 128 091,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61P03FTA
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4306A
kezdő: HUF 984 581,00*
4 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP6A13FTA
kezdő: HUF 178 009,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN6A07FTA
kezdő: HUF 151 825,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-323 RZF013P01 (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM
ROHM Semiconductor
RZF013P01TL
kezdő: HUF 44,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2300UFB4-7B
kezdő: HUF 20,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-23 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6004FFTA
kezdő: HUF 159,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-23 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6004FFTA
kezdő: HUF 467 899,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10A07ZTA
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 12 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN1150UFB-7B
kezdő: HUF 103,79*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 12 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN1150UFB-7B
kezdő: HUF 920,70*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 30 V, 3-tüskés, Felületre szerelhető (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = Felületre szerelhető Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csato...
ROHM Semiconductor
RV2E014AJT2CL
kezdő: HUF 187,825*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 30 V, 3-tüskés, Felületre szerelhető (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = Felületre szerelhető Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csato...
ROHM Semiconductor
RV2E014AJT2CL
kezdő: HUF 28,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61N03FTA
kezdő: HUF 147 697,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,5 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMP2240UW-7
kezdő: HUF 41,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,5 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMP2240UW-7
kezdő: HUF 752,40*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-346 RRR015P03 (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM
ROHM Semiconductor
RQ5E015RPTL
kezdő: HUF 41,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,5 A, 30 V, 3-tüskés, TUMT3 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM
ROHM Semiconductor
RRF015P03TL
kezdő: HUF 56,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,5 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-346 RQ5L015SP Egyszeres (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM
ROHM Semiconductor
RQ5L015SPTL
kezdő: HUF 66,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H220L-7
kezdő: HUF 38,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN10H220L-7
kezdő: HUF 2 800,6002*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP10A17E6TA
kezdő: HUF 108,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 100 V - 450 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP10A17E6TA
kezdő: HUF 319 423,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP3A13FTA
kezdő: HUF 161 604,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220FM (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220FM Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
ROHM Semiconductor
R8002KNXC7G
kezdő: HUF 306,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,6 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220FM (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220FM Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
ROHM Semiconductor
R8002KNXC7G
kezdő: HUF 596,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61N02FTA
kezdő: HUF 199 398,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10B08E6TA
kezdő: HUF 103,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10A08E6TA
kezdő: HUF 304 951,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1.03 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 DMG1023 Si (2 ajánlat) 
A DiodesZetex 20V kiegészítő pár javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a n...
Diodes
DMG1023UVQ-7
kezdő: HUF 29,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.03 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 DMG1023 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 1.03 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMG1023 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forráse...
Diodes
DMG1023UVQ-7
kezdő: HUF 79,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.1 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61P03FTA
kezdő: HUF 1 400,00*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1.1 A, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4306A
kezdő: HUF 273,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP6A13FTA
kezdő: HUF 60,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN6A07FTA
kezdő: HUF 35,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.3 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2300UFB4-7B
kezdő: HUF 3 331,70*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1.4 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10A07ZTA
kezdő: HUF 1 413,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1.4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61N03FTA
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP3A13FTA
kezdő: HUF 35,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61N02FTA
kezdő: HUF 46,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10B08E6TA
kezdő: HUF 1 007,30*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1.9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10A08E6TA
kezdő: HUF 104,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P100SNTL1
kezdő: HUF 159,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P100SNTL1
kezdő: HUF 145,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEGC11
kezdő: HUF 1 087 434,3015*
450 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   18   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.