Kategóriák
Irodai kellékek
Hardver, szoftver, telekommunikáció
Szerszámok, Szerszámgépek
Elektronika, elektrotechnika
Üzemi felszerelés, raktári felszerelés
Munkavédelem
Műszaki kereskedelem
Egészségügy, terápia, labor
Háztechnika, épülettechnika
Szállítás, csomagolás
Hotel, vendéglátás, étel, ital
Takarítóeszközök
További kategóriák
Magyarország
Magyar
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Bejelentkezni
Új ügyfél?
Regisztráljon most
>
Profil
Rendelési archívum
Bevásárlólisták
Beszerzési igénylések
Kosár
Nyitólap
>
Elektronika, elektrotechnika
>
Raktár 4GUDN
>
Elektronikus alkatrészek, tápellátás és csatlakozók
>
Félvezetők
>
Diszkrét félvezetők
>
MOSFET-ek
---
Gyártó: ROHM Semiconductor, Diodes
MOSFET-ek
(1 686 cikk)
A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés:
Összes raktár
Raktár 4GUDN
Raktár 745LG
Raktar 296YZ
Ár ettől:
eddig
HUF
szó
Gyártó:
Diodes
Infineon
(+3951)
onsemi
(+1370)
ROHM Semiconductor
ST Microelectronics
(+903)
Vishay
(+1945)
...
Összes kijelzése
Kijelzés
Galéria nézet
Ajánlatok száma
Cikkjellemzők
Összehasonlító ár
Árucikk összehasonlítás
Kép
Cikk
Gyártó/-szám
Nettó ár
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres
(2 ajánlat)
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres
(1 ajánlat)
Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 2 054,10*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 93 581,01*
3 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres
(2 ajánlat)
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 32,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres
(1 ajánlat)
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 48,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 1 163,10*
25 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 76 749,00*
3 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
(1 ajánlat)
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 2 547,30*
100 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 159,50*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres
(1 ajánlat)
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 3 692,80*
100 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
(1 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
(1 ajánlat)
Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 895,10*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
(2 ajánlat)
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 69,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres
(1 ajánlat)
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 2 197,10*
25 db-ként
Cikk oldalanként:
10
15
20
50
100
oldal:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
..
113
előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.
Rólunk
Ügyfélszolgálat
Sajtóközlemény
Karrier
ÁSZF
Impresszum
Adatvédelem
Fenntarthatóság
Adatvédelmi beállítások