MOSFET-ek ST Microelectronics Diodes a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...

Diodes

DMN6069SE-13

kezdő: HUF 64,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...

Diodes

DMTH43M8LPS-13

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...

Diodes

DMTH43M8LPS-13

kezdő: HUF 2 073,10*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 93 380,01*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN1008UFDF-7

kezdő: HUF 32,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN3020UTS-13

kezdő: HUF 48,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMN3020UTS-13

kezdő: HUF 1 167,10*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Diodes

DMG3415U-7-57

kezdő: HUF 76 831,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...

Diodes

DMG3415U-7-57

kezdő: HUF 2 549,30*
100 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Diodes

DMN2058UW-7

kezdő: HUF 158,50*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN2058UW-7

kezdő: HUF 3 705,80*
100 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerFlate 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 206,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-et fejlesztett STMicroelectronics A készüléket úgy optimalizálták, hogy alacsony, működés közbeni ellenállást érjenek el, ami hozzájárul ahhoz, hogy a kategória...

ST Microelectronics

STL40DN3LLH5

kezdő: HUF 2 819,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...

Diodes

DMTH10H025SK3-13

kezdő: HUF 91,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...

Diodes

DMTH10H025SK3-13

kezdő: HUF 904,10*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Diodes

DMTH6016LK3-13

kezdő: HUF 68,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMTH6016LK3-13

kezdő: HUF 2 208,10*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4023SK3-13

kezdő: HUF 287 976,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4023SK3-13

kezdő: HUF 1 400,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4013SK3-13

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4013SK3-13

kezdő: HUF 3 315,70*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (2 ajánlat)

Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés követ. A kapott termék rendkívül ki...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 1 977,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 630 m/s Csatorna m...

ST Microelectronics

STB43N65M5

kezdő: HUF 5 989,10*
2 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMN6040SE-13

kezdő: HUF 49,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMN6040SE-13

kezdő: HUF 2 314,10*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Diodes

DMP2021UTS-13

kezdő: HUF 255 505,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMP2021UTS-13

kezdő: HUF 1 373,20*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMN6069SE-13

kezdő: HUF 59,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat)

Diodes

DMN3009SK3-13

kezdő: HUF 55,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMN3009SK3-13

kezdő: HUF 2 826,70*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMNH6011LK3-13

kezdő: HUF 1 771,80*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 373 002,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...

Diodes

DMTH6016LPD-13

kezdő: HUF 2 634,10*
10 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 829 863,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 528,00*
db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 818 830,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 524,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 695,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 721,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 601,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 622,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 4 129,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCTWA20N120

kezdő: HUF 4 677,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 035 108,00*
1 000 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítményMOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nag...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 182,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF33N60DM6

kezdő: HUF 1 139,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STF33N60DM6

kezdő: HUF 1 592,00*
db-ként