Az NCTV51705 meghajtó elsősorban a SiC MOSFET tranzisztorok meghajtására készült. A lehető legkisebb vezetési veszteség elérése érdekében a vezető a maximális megengedett kapufeszültséget a SiC MOS...
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 1,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Ezek a miniatűr felületszerelt MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval rendelkeznek, minimális energiaveszteséggel és energiatakarékossággal, ami ideálissá teszi ezeket az eszközöket a térben érzéken...
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...
Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 103 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrás...
Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérh...
Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...