Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 059 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy a rendszer minimalizálja az állapot állóságát (RDS(on)), és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatékonyságú energiagaz...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 64,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez az új generációs N-Channel Enhancement Mode MOSFET célja az RDS(BE) minimálisra csökkentése, ugyanakkor kiemelkedő kapcsolási teljesítmény fenntartása.Névleges +175 °C-os - ideális magas Környez...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 303 821,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMTH43M8LPS-13
kezdő: HUF 2 069,10*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = U-DFN2020 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 93 718,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12,2 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN1008UFDF-7
kezdő: HUF 32,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 48,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 30 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMN3020UTS-13
kezdő: HUF 1 167,10*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 77 108,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 2 556,30*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 158,50*
5 db-ként
 
 csomagok
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 3 710,80*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,3 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-ek alacsony ellenállással és gyors átkapcsolással rendelkeznek, így ideálisan használható nagy hatásfokú teljesítménykezelő alkalmazásokhoz.100%-Osan Kifeszített Induktív Ka...
Diodes
DMTH10H025SK3-13
kezdő: HUF 903,10*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 69,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 46,9 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMTH6016LK3-13
kezdő: HUF 2 191,10*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMPH4023SK3-13
kezdő: HUF 287 954,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMPH4023SK3-13
kezdő: HUF 1 405,70*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMPH4013SK3-13
kezdő: HUF 314 445,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMPH4013SK3-13
kezdő: HUF 3 319,70*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
Diodes
DMN6040SE-13
kezdő: HUF 49,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN6040SE-13
kezdő: HUF 2 315,10*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMP2021UTS-13
kezdő: HUF 254 956,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7,4 A, 20 V, 8-tüskés, TSSOP Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 7,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = TSSOP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMP2021UTS-13
kezdő: HUF 1 368,20*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 59,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 55,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 2 823,70*
25 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMNH6011LK3-13
kezdő: HUF 1 770,80*
5 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 372 230,00*
2 500 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 33,2 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is minimális legyen az ellenállás (RDS(BE)), de kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így nagy hatékonyságú energiagazdálkodási alkalmazáso...
Diodes
DMTH6016LPD-13
kezdő: HUF 2 634,10*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9LPSW-13
kezdő: HUF 834 359,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9LPSW-13
kezdő: HUF 527,00*
db-ként
 
 db
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 820 760,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 523,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG1012UW-7
kezdő: HUF 119,00*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG1012UW-7
kezdő: HUF 1 085,00*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
kezdő: HUF 32 229,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN1006 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő f...
Diodes
DMN2450UFB4-7R
kezdő: HUF 13,30*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN3190LDWQ (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = DMN3190LDWQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrás...
Diodes
DMN3190LDWQ-7
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN3190LDWQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN3190LDWQ sorozatú MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség
Diodes
DMN3190LDWQ-7
kezdő: HUF 97,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4206GTA
kezdő: HUF 125,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXM61P03FTA
kezdő: HUF 31,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 60 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4306A
kezdő: HUF 1 510 669,00*
4 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,1 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMP6A13FTA
kezdő: HUF 226 560,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN6A07FTA
kezdő: HUF 40,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN1006 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2300UFB4-7B
kezdő: HUF 21,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-23 IntelliFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6004FFTA
kezdő: HUF 157,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 70 V, 3-tüskés, SOT-23 IntelliFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
IntelliFET Önállóan védett MOSFET-ek, diódák B. Az IntelliFET önműködő MOSFET-ek, amelyek integrálják az ESD (Electrostatic-Érzékeny Eszköz), a túláram, a túlfeszültség és a túlmelegedés elleni véd...
Diodes
ZXMS6004FFTA
kezdő: HUF 666 205,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10A07ZTA
kezdő: HUF 74,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 12 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN1150UFB-7B
kezdő: HUF 105,92*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 12 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN1150UFB-7B
kezdő: HUF 870,60*
50 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   22   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.