MOSFET-ek ROHM Semiconductor Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (92/172 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 6.5 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9630SPBF

kezdő: HUF 3 377,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6.5 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9630PBF

kezdő: HUF 528,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6.6 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFIB7N50APBF

kezdő: HUF 662,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6.7 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9Z14PBF

kezdő: HUF 388,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6.8 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9520PBF

kezdő: HUF 151,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, HSOP8 RS1P600BE Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = RS1P600BE Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

ROHM Semiconductor

RS1P600BETB1

kezdő: HUF 2 143,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR870ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 2 513,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR870ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 1 439 593,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

kezdő: HUF 152,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS(on) érték, kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesít...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 875,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI7164DP-T1-GE3

kezdő: HUF 360,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva

Vishay

SiR188DP-T1-RE3

kezdő: HUF 511 830,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SiR188DP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 674,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma...

Vishay

SQJ186EP-T1_GE3

kezdő: HUF 151,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Vishay

SQJ186EP-T1_GE3

kezdő: HUF 231,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 .. 172 előre

MOSFET-ek (2 572 cikk)