Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (903 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 587,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 814,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 10 093,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 11 464,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 408,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 395,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 3 499,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTH35 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 4 248,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
kezdő: HUF 4 458,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi területr...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
kezdő: HUF 4 430,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH40N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH40N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.105 O ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
kezdő: HUF 4 321,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
kezdő: HUF 4 889,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
kezdő: HUF 4 926,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
kezdő: HUF 4 923,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
kezdő: HUF 15 913,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   61   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.