Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (903 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerFlate 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
ST Microelectronics
STL40DN3LLH5
kezdő: HUF 204,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerFlate 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-et fejlesztett STMicroelectronics A készüléket úgy optimalizálták, hogy alacsony, működés közbeni ellenállást érjenek el, ami hozzájárul ahhoz, hogy a kategória...
ST Microelectronics
STL40DN3LLH5
kezdő: HUF 2 814,70*
10 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (2 ajánlat) 
Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés követ. A kapott termék rendkívül ki...
ST Microelectronics
STB43N65M5
kezdő: HUF 1 999,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 630 m/s Csatorna m...
ST Microelectronics
STB43N65M5
kezdő: HUF 6 009,10*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 603,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 745,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STF22N60M6
kezdő: HUF 603,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STF22N60M6
kezdő: HUF 617,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 3 995,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 678,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
ST Microelectronics
STB33N60DM6
kezdő: HUF 1 031 340,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítményMOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nag...
ST Microelectronics
STB33N60DM6
kezdő: HUF 1 176,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STF33N60DM6
kezdő: HUF 1 098,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STF33N60DM6
kezdő: HUF 1 586,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STP33N60DM6
kezdő: HUF 860,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STP33N60DM6
kezdő: HUF 1 672,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STF36N60M6
kezdő: HUF 1 318,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STF36N60M6
kezdő: HUF 1 681,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 5 949,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 6 567,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
kezdő: HUF 4 916,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
kezdő: HUF 4 911,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 10 319,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 11 033,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STWA65N60DM6
kezdő: HUF 1 936,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 38 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STWA65N60DM6
kezdő: HUF 2 586,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STW48N60M6-4
kezdő: HUF 1 907,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 39 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STW48N60M6-4
kezdő: HUF 2 226,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 7 916,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 8 043,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 4 769,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 5 501,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STWA67N60M6
kezdő: HUF 1 806,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...
ST Microelectronics
STWA67N60M6
kezdő: HUF 3 841,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
kezdő: HUF 3 133,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 62 A, 600 V, Kiürítéses, 4-tüskés, TO-247-4 ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
kezdő: HUF 3 597,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 10 116,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 11 424,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STW70N65DM6
kezdő: HUF 2 857,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STW70N65DM6
kezdő: HUF 3 450,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STW70N65DM6-4
kezdő: HUF 3 492,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STW70N65DM6-4
kezdő: HUF 6 860,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...
ST Microelectronics
STWA70N65DM6
kezdő: HUF 2 876,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STWA70N65DM6
kezdő: HUF 3 757,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 387,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 381,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 280 mΩ Csatorna m...
ST Microelectronics
STB18N60M6
kezdő: HUF 436 013,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új MDmesh M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjára...
ST Microelectronics
STB18N60M6
kezdő: HUF 3 151,60*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Csomag típusa = TO-220FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 280 mΩ Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
STF18N60M6
kezdő: HUF 462,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 13 A, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjár...
ST Microelectronics
STF18N60M6
kezdő: HUF 3 229,50*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 195 m/s Csatorna mód = Növekménye...
ST Microelectronics
STP26N60DM6
kezdő: HUF 643,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 a nagyon alacsony helyreállási időt (Qrr),...
ST Microelectronics
STP26N60DM6
kezdő: HUF 2 061,10*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
kezdő: HUF 669,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 a nagyon alacsony helyreállási időt (Qrr),...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
kezdő: HUF 987,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, a...
ST Microelectronics
STP26N65DM2
kezdő: HUF 35 219,80*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 190 Ω Csatorna mód = Növekményes ...
ST Microelectronics
STP26N65DM2
kezdő: HUF 923,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (2 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. A korábbi MDmesh gyors generációhoz képest a DM6 a nagyon alacsony helyreállási időt (Qrr),...
ST Microelectronics
STL45N60DM6
kezdő: HUF 1 215,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...
ST Microelectronics
STL45N60DM6
kezdő: HUF 2 954,10*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = PowerFLAT 5x6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna ...
ST Microelectronics
SGT65R65AL
kezdő: HUF 6 528 220,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 750 V, 4-tüskés, PowerFLAT 5x6 HV GaN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = PowerFLAT 5x6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna ...
ST Microelectronics
SGT65R65AL
kezdő: HUF 2 297,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 5,5 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 5 x 6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximá...
ST Microelectronics
STL10N60M6
kezdő: HUF 291,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 5,5 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjár...
ST Microelectronics
STL10N60M6
kezdő: HUF 2 265,30*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a készülék egy N csatornás MOSFET-erősítő, az MDmesh™ M5 innovatív függőleges gyártási technológiájával, amelyet a jól ismert PowerMESH™ vízszintes elrendezés fejez össze. A kapott termék rendkí...
ST Microelectronics
STB45N30M5
kezdő: HUF 1 306 243,00*
1 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 53 A, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 40 mΩ Csatorna mó...
ST Microelectronics
STB45N30M5
kezdő: HUF 3 553,60*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új MDmesh M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-ek jól ismert és konszolidált MDmesh termékcsaládjának legújabb fejlesztéseit. Az STMicroelectronics az MDmesh eszközök előző generációjára...
ST Microelectronics
STL13N60M6
kezdő: HUF 1 024 463,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 HV Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 5 x 6 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
ST Microelectronics
STL13N60M6
kezdő: HUF 2 803,80*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
kezdő: HUF 995,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 2 elem/chip, 15 A, 750 V, 4-tüskés, Tekercs GaN (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 750 V Csomag típusa = Tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető, furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmény...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
kezdő: HUF 1 392,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = SMD Tüskék száma = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
kezdő: HUF 59 703,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = SMD Tüskék száma = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
kezdő: HUF 59 956,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD1NK60T4
kezdő: HUF 95,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD1NK60T4
kezdő: HUF 321 934,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD1NK60-1
kezdő: HUF 16 163,10*
75 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STD1NK60-1
kezdő: HUF 84,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,85 A, 1000 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STU2NK100Z
kezdő: HUF 171,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1.85 A, 1000 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STU2NK100Z
kezdő: HUF 2 526,80*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, amely alkalma...
ST Microelectronics
STD11N60DM2
kezdő: HUF 278,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 420 mΩ Csatorna mó...
ST Microelectronics
STD11N60DM2
kezdő: HUF 2 857,00*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STS10P4LLF6
kezdő: HUF 265,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 480 V, Kiürítéses, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás MDmesh M6 Power MOSFET DPAK csomagban csökkentette a kapcsolási veszteségeket. Emellett területenként alacsonyabb RDS(on)-t is tartalmaz, mint az előző generációná...
ST Microelectronics
STD13N60M6
kezdő: HUF 355,0468*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 480 V, Kiürítéses, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STD (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 480 V Sorozat = STD Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
STD13N60M6
kezdő: HUF 1 776,00*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP11NK50Z
kezdő: HUF 313,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP11NK50Z
kezdő: HUF 2 788,80*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STD10P6F6
kezdő: HUF 178,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors regeneráló diódasorozatot képezi. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyre...
ST Microelectronics
STD12N60DM6
kezdő: HUF 326,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...
ST Microelectronics
STD12N60DM6
kezdő: HUF 327,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP11NM60ND
kezdő: HUF 466,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP11NM60ND
kezdő: HUF 696,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP10NM60N
kezdő: HUF 259,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP10NM60N
kezdő: HUF 4 582,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP10NK60Z
kezdő: HUF 268,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP10NK60Z
kezdő: HUF 2 582,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP FDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STF11NM60ND
kezdő: HUF 625,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP FDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STF11NM60ND
kezdő: HUF 684,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STF10NM60N
kezdő: HUF 248,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STF10NM60N
kezdő: HUF 3 705,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP10NK60ZFP
kezdő: HUF 335,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP10NK60ZFP
kezdő: HUF 19 209,70*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STW10NK60Z
kezdő: HUF 443,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...
ST Microelectronics
STD13N65M2
kezdő: HUF 262,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.