Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (939 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 72 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
STWA75N60DM6
kezdő: HUF 3 427,76667*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztéseivel elért eredményeket. Az STMicroelectronics az MDhálós eszközök előző ...
ST Microelectronics
STWA75N60M6
kezdő: HUF 2 847,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 1 369 916,9001*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 75 991,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 1 370 810,70*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 76 310,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
IRF630
kezdő: HUF 281,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
IRF630
kezdő: HUF 13 051,10*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 80 V, 3-tüskés, M250 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
LET9045F
kezdő: HUF 1 215 807,90*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 40 V, 14-tüskés, PowerFLAT 5 x 5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55003L-E
kezdő: HUF 5 338 119,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 40 V, 14-tüskés, PowerFLAT 5 x 5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55003L-E
kezdő: HUF 2 372,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 40 V, 10-tüskés, PowerSO Egyszeres Si (2 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55015-E
kezdő: HUF 7 381,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 40 V, 10-tüskés, PowerSO Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55015-E
kezdő: HUF 5 258,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 65 V, 4-tüskés, B4E RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
kezdő: HUF 6 123 088,6008*
120 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 65 V, 4-tüskés, B4E RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
kezdő: HUF 51 322,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L36075CF2
kezdő: HUF 5 342 195,2008*
120 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L36075CF2
kezdő: HUF 44 687,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics XXXX az ART LDMOS FET állapota, amelyet nagysávszélességű kommunikációs és ISM alkalmazásokhoz terveztek, HF-től 1 GHz-ig terjedő frekvenciákkal. A termék 136-174 MHz-es keresk...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
kezdő: HUF 5 430 506,60*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Sorozat = RF3L05150CB4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő for...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
kezdő: HUF 54 507,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbf...
ST Microelectronics
RF3L05250CB4
kezdő: HUF 5 743 249,50*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Sorozat = RF3L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszül...
ST Microelectronics
RF3L05250CB4
kezdő: HUF 57 709,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
kezdő: HUF 6 127 442,6004*
120 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
kezdő: HUF 51 312,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
kezdő: HUF 5 968 049,20*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
kezdő: HUF 59 887,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK–7 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK–7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7
ST Microelectronics
SCT040H65G3AG
kezdő: HUF 3 742,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK–7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK–7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7
ST Microelectronics
SCT040H65G3AG
kezdő: HUF 4 407,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 10 A, 800 V, Szalag és tekercs (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = Szalag és tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
kezdő: HUF 3 613,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 10 A, 800 V, Szalag és tekercs (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = Szalag és tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
kezdő: HUF 4 283,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, HU3PAK (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT055HU65G3AG
kezdő: HUF 3 403,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, HU3PAK (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT055HU65G3AG
kezdő: HUF 3 567,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 2 362,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (1 ajánlat) 
SiC MOSFETA STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan ...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 4 016,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 319,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 1 918,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 2 551,90*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 2 835,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 223,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT10N120H Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 840,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 926,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 691,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SiC MOSFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 476,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 478,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 424,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 549,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 600,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT30N120H Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 799,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 10 113,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 10 079,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 413,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 409,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és a forrásellenállás 55 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási ...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 3 499,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTH35 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
kezdő: HUF 4 250,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
kezdő: HUF 4 263,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi területr...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
kezdő: HUF 4 281,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH40N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH40N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.105 O ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
kezdő: HUF 4 306,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
kezdő: HUF 4 870,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
kezdő: HUF 4 929,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V7AG
kezdő: HUF 4 902,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH50N120-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
kezdő: HUF 15 235,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
kezdő: HUF 7 137,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
kezdő: HUF 14 202,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH70N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 90 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH70N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.21 O M...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
kezdő: HUF 8 421,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 90 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH70N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
kezdő: HUF 22 580,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH90 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses teljesítményértéke 116A, és a forrásellenállás 18 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a ...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
kezdő: HUF 8 066,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTL35N65G2V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő for...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 2 742,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
ST Microelectronics
SCTL35N65G2V
kezdő: HUF 4 438,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV SCTL90N (2 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
kezdő: HUF 10 200,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 10 547,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
kezdő: HUF 10 979,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET jelenlegi teljesítménye 45A, és forrásellenállás 45 m ohm. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 791,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW35 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW35 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás ...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2V
kezdő: HUF 4 231,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 4 181,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0...
ST Microelectronics
SCTW35N65G2VAG
kezdő: HUF 4 173,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.7 O Maxim...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
kezdő: HUF 5 404,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW40N (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
kezdő: HUF 5 387,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari minőségű szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkív...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 5 793,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 33 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
kezdő: HUF 6 433,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
kezdő: HUF 9 176,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3
ST Microelectronics
SCTW60N120G2
kezdő: HUF 16 129,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 12 335,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW70N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW70N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
kezdő: HUF 11 745,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTW90 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 9 005,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTW90 SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics 650V szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET áramterheléses értéke 119A, a forrásellenállás pedig 18 m. Az egység egy részén alacsony az ellenállásuk, és nagyon jó a kapcsolási te...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
kezdő: HUF 8 259,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 3 874,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 599,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 7 927,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
kezdő: HUF 8 054,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA35N65G2V Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 3 984,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egysé...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
kezdő: HUF 4 086,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 4 828,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
kezdő: HUF 7 930,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTWA40N120G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 5 869,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA40N120G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
SiC MOSFETAz STMicroelectronics 7 V, 55 650-os SCTH35N65G2V- STPOWER SiC MOSFET ugyanolyan névleges feszültségű és egyenértékű bekapcsolt állapotú ellenállással, Trench Field-stop (TFS) IGBT-vel. A...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
kezdő: HUF 10 503,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (2 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 ...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 864,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTW (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTW Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 5.2e+007 Ω Maximáli...
ST Microelectronics
SCTWA60N120G2-4
kezdő: HUF 8 627,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 14 389,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 25 728,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 119 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCTWA90N65G2V-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 709,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 119 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 SCTWA90N65G2V-4 SiC (1 ajánlat) 
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...
ST Microelectronics
SCTWA90N65G2V-4
kezdő: HUF 10 222,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.