Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (903 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 72 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
ST Microelectronics
STWA75N60DM6
kezdő: HUF 3 495,56667*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az új MDmesh™ M6 technológia magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztéseivel elért eredményeket. Az STMicroelectronics az MDhálós eszközök előző ...
ST Microelectronics
STWA75N60M6
kezdő: HUF 2 846,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 1 365 605,40006*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 76 308,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 1 376 154,60012*
18 db-ként
 
 csomag
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 76 020,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
IRF630
kezdő: HUF 282,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
IRF630
kezdő: HUF 13 240,80*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 80 V, 3-tüskés, M250 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
LET9045F
kezdő: HUF 1 208 265,70*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 40 V, 14-tüskés, PowerFLAT 5 x 5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55003L-E
kezdő: HUF 5 345 323,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 40 V, 14-tüskés, PowerFLAT 5 x 5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55003L-E
kezdő: HUF 2 346,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 40 V, 10-tüskés, PowerSO Egyszeres Si (2 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55015-E
kezdő: HUF 5 922,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 40 V, 10-tüskés, PowerSO Egyszeres Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...
ST Microelectronics
PD55015-E
kezdő: HUF 5 211,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 65 V, 4-tüskés, B4E RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
kezdő: HUF 6 123 301,4004*
120 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 65 V, 4-tüskés, B4E RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
kezdő: HUF 51 296,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L36075CF2
kezdő: HUF 5 344 140,96*
120 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V
ST Microelectronics
RF2L36075CF2
kezdő: HUF 44 862,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics XXXX az ART LDMOS FET állapota, amelyet nagysávszélességű kommunikációs és ISM alkalmazásokhoz terveztek, HF-től 1 GHz-ig terjedő frekvenciákkal. A termék 136-174 MHz-es keresk...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
kezdő: HUF 5 432 485,90*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Sorozat = RF3L05150CB4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő for...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
kezdő: HUF 54 567,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbf...
ST Microelectronics
RF3L05250CB4
kezdő: HUF 5 750 214,60*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbf...
ST Microelectronics
RF3L05250CB4
kezdő: HUF 57 706,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
kezdő: HUF 6 130 442,40*
120 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
kezdő: HUF 51 214,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = SMD Tüskék száma = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
kezdő: HUF 59 644,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 95 V, 5-tüskés, LBB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = Dual N Maximális nyelő forrásfeszültség = 95 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = SMD Tüskék száma = 5
ST Microelectronics
RF5L15120CB4
kezdő: HUF 59 999,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK–7 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK–7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7
ST Microelectronics
SCT040H65G3AG
kezdő: HUF 3 737,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK–7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK–7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7
ST Microelectronics
SCT040H65G3AG
kezdő: HUF 4 401,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 10 A, 800 V, Szalag és tekercs (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = Szalag és tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
kezdő: HUF 3 809,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 10 A, 800 V, Szalag és tekercs (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = Szalag és tekercs Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
kezdő: HUF 4 270,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, HU3PAK (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT055HU65G3AG
kezdő: HUF 3 399,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 30 A, 650 V, HU3PAK (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Csatorna mód = Növekményes
ST Microelectronics
SCT055HU65G3AG
kezdő: HUF 3 563,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = SCT1000N170 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 2 364,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si (1 ajánlat) 
SiC MOSFETA STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan ...
ST Microelectronics
SCT1000N170
kezdő: HUF 3 712,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 670,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 741,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 112,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 3 236,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 239,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT10N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT10N120H Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
ST Microelectronics
SCT10N120H
kezdő: HUF 2 976,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 5 234,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 16 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT20N120AG
kezdő: HUF 4 652,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SiC MOSFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 467,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, 3-tüskés, H2PAK-2 SiC MOSFET SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságokka...
ST Microelectronics
SCT20N120H
kezdő: HUF 3 464,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 400,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás Szilikon Carbide (SIC) MOSFET, STMicroelectronics. A szilícium-karbid (SIC) MOSFET-ek esetében a tápellátás az 1200 V-os fokozathoz képest rendkívül alacsony, statikus, lefolyó anyagból...
ST Microelectronics
SCT30N120
kezdő: HUF 6 469,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 587,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 814,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 10 093,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...
ST Microelectronics
SCT50N120
kezdő: HUF 11 464,00*
db-ként
 
 db
MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
kezdő: HUF 8 408,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   19   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.