Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (3 833 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 250 V, 3-tüskés, TO-220F UniFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
UnilFET™ N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A UniverFET™ MOSFET a Fairchild Semiconductor nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládja. A legkorszerűbb MOSFET-ek között a legkisebb ellenállási e...
onsemi
FDPF33N25T
kezdő: HUF 3 540,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
HUF76423P3
kezdő: HUF 284,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...
onsemi
HUF76423P3
kezdő: HUF 3 618,80*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SUPERFET V Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SUPERFET V Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
onsemi
NTHL099N60S5
kezdő: HUF 490 840,3035*
450 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SUPERFET V Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
NTHL099N60S5
kezdő: HUF 1 044,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SIHG33N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 579,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC EF Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SiHG33N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 606,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33,7 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiS128LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 115,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33,7 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SiS128LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 242,20*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 33.6 A, 100 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 33.6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 214,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 33.6 A, 100 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 33.6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
Vishay
SQJ211ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 240,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 330 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...
Vishay
SQJ138EP-T1_GE3
kezdő: HUF 225,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve A Qgd/Qgs ar...
Vishay
SQJ138EP-T1_GE3
kezdő: HUF 217,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.
onsemi
NTMJS0D9N04CLTWG
kezdő: HUF 1 555 444,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 330 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTMJS0D9N04CLTWG
kezdő: HUF 3 656,20*
5 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   256   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.