MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (71/130 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHB120N60E-T5-GE3

kezdő: HUF 1 016,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHB120N60E-T5-GE3

kezdő: HUF 891,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHB120N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 806 059,00*
800 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SIHB120N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 893,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszt...

Vishay

SIHB11N80AE-GE3

kezdő: HUF 464,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SIHB11N80AE-GE3

kezdő: HUF 539,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB105N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SIHB105N60EF-GE3

kezdő: HUF 875,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...

Vishay

SIHB105N60EF-GE3

kezdő: HUF 798,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIHB085N60EF-GE3

kezdő: HUF 52 267,50*
50 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIHB085N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 204,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIHB080N60E-GE3

kezdő: HUF 1 891,584*
2 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIHB080N60E-GE3

kezdő: HUF 1 136,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (2 ajánlat)

Vishay

SIHB068N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 369,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB068N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Vishay

SIHB068N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 363,00*
db-ként

MOSFET, 46 A, 650 V, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIHB055N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 793,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .. 130 előre

MOSFET-ek (1 945 cikk)