MOSFET-ek Vishay a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (77/130 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF840LCPBF

kezdő: HUF 312,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF840APBF

kezdő: HUF 530,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF840LCPBF

kezdő: HUF 34 500,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 8-tüskés, 1212-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Vishay

SIS4634LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 395 818,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 8-tüskés, 1212-8 Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIS4634LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 136,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszt...

Vishay

SIHB11N80AE-GE3

kezdő: HUF 462,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Vishay

SIHB11N80AE-GE3

kezdő: HUF 539,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

Vishay

SIHD11N80AE-GE3

kezdő: HUF 390,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET DPAK (TO-252) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszte...

Vishay

SIHD11N80AE-GE3

kezdő: HUF 356,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.391 Ω Maximális kapu küszöbfeszül...

Vishay

SIHG11N80AE-GE3

kezdő: HUF 584,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET TO-247AC tokozású, egyetlen konfigurációval.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség R...

Vishay

SIHG11N80AE-GE3

kezdő: HUF 437,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SIHD11N80AE-T1-GE3

kezdő: HUF 372,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Vishay

SIHD11N80AE-T1-GE3

kezdő: HUF 449,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 250 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHF634S-GE3

kezdő: HUF 3 064,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SI4435DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 360 316,50*
2 500 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .. 130 előre

MOSFET-ek (1 945 cikk)