Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek ---

  MOSFET-ek (1 370 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
Phoenix Contact
1952539
kezdő: HUF 881,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7000
kezdő: HUF 41,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7000
kezdő: HUF 1 399,30*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
2N7000-D26Z
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ezek az N-csatornás kis jelMOSFET-ek a Semiconductor szabadalmazott, magas CELLASŰRŰSÉGE, valamint a DMOS technológia alkalmazásával készültek. Ezeket a termékeket úgy tervezték, hogy a működés köz...
onsemi
2N7000-D26Z
kezdő: HUF 3 557,00*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7000_D26Z
kezdő: HUF 4 810,80*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7000TA
kezdő: HUF 30,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002
kezdő: HUF 29,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002
kezdő: HUF 673,30*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (3 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002DW
kezdő: HUF 37,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002K
kezdő: HUF 15,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 380 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002KT1G
kezdő: HUF 12,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 380 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002KT1G
kezdő: HUF 648,20*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002KW
kezdő: HUF 24,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002LT1G
kezdő: HUF 9,70*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002LT1G
kezdő: HUF 692,30*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002LT3G
kezdő: HUF 13,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002LT3G
kezdő: HUF 3 007,60*
200 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
2N7002T
kezdő: HUF 36,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 280 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002V
kezdő: HUF 47,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 340 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
2N7002WT1G
kezdő: HUF 12,80*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET Schottky diódával on Semiconductor
onsemi
2V7002KT1G
kezdő: HUF 60,94*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BS170
kezdő: HUF 31,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BS170
kezdő: HUF 413,10*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (2 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 350 mW Elemek száma chipenként = 1
onsemi
BS170-D26Z
kezdő: HUF 35,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (1 ajánlat) 
MOSFET, kisméretű jel, 500 mA, 60 VAlkalmazások Ez a termék általános használatra alkalmas, és számos különböző alkalmazáshoz használható
onsemi
BS170-D26Z
kezdő: HUF 1 564,40*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (3 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 350 mW Maximális működési hőmérséklet = +150 °C
onsemi
BS170-D27Z
kezdő: HUF 27,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (1 ajánlat) 
MOSFET, kisméretű jel, 500 mA, 60 VAlkalmazások Ez a termék általános használatra alkalmas, és számos különböző alkalmazáshoz használható
onsemi
BS170-D27Z
kezdő: HUF 1 140,20*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (3 ajánlat) 
MOSFET, kisméretű jel, 500 mA, 60 VAlkalmazások Ez a termék általános használatra alkalmas, és számos különböző alkalmazáshoz használható
onsemi
BS170-D75Z
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (1 ajánlat) 
Csomag típusa = TO-92 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális teljesítménydisszipáció = 350 mW Elemek száma chipenként = 1
onsemi
BS170-D75Z
kezdő: HUF 2 484,60*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 400 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BS270
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (3 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
BSS123
kezdő: HUF 13,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
BSS123
kezdő: HUF 160,40*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 1700 V on Semiconductor
onsemi
BSS123LT1G
kezdő: HUF 14,60*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 1700 V on Semiconductor
onsemi
BSS123LT1G
kezdő: HUF 713,00*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 220 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BSS138
kezdő: HUF 18,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 220 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BSS138
kezdő: HUF 681,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 220 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BSS138K
kezdő: HUF 24,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (3 ajánlat) 
A BSS138L N-csatornás MOSFET általában DC-DC átalakítót, a hordozható és az elemes készülékek, például számítógépek, nyomtatók, PCMCIA-kártyák, mobiltelefonok és vezeték nélküli telefonok tápvezérl...
onsemi
BSS138L
kezdő: HUF 13,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
onsemi
BSS138L
kezdő: HUF 1 291,80*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 50 V on Semiconductor
onsemi
BSS138LT1G
kezdő: HUF 22,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 50 V on Semiconductor
onsemi
BSS138LT1G
kezdő: HUF 2 031,50*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 BSS138L Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 50 V on Semiconductor
onsemi
BSS138LT3G
kezdő: HUF 152 721,00*
10 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 50 V on Semiconductor
onsemi
BSS138LT3G
kezdő: HUF 12,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 210 perc, 50 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BSS138W
kezdő: HUF 23,20*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
BSS84
kezdő: HUF 37,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V
onsemi
BSS84LT1G
kezdő: HUF 18,10*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 50 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
BUZ11_NR4941
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET gépjármű teljesítménynövelő alkalmazásokhoz ideális. 50 V, 200 mA, 3,5 Ohm, egy N-csatorna, SOT-23, logikai szint, Pb-Mentes. PPAP-kompatibilis, autóipari alkalmazásokhoz való.Alacsony Küs...
onsemi
BVSS138LT1G
kezdő: HUF 65,645*
5 db-ként
 
 csomagok
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
onsemi
BVSS138LT1G
kezdő: HUF 1 526,70*
100 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET gépjármű teljesítménynövelő alkalmazásokhoz ideális. -50 V -130mA 10 Ohm egyP-Channel SOT-23 logikai szint. PPAP-kompatibilis, autóipari alkalmazásokhoz való.AEC Minősítésű PPAP-kompatibil...
onsemi
BVSS84LT1G
kezdő: HUF 30,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 130 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...
onsemi
BVSS84LT1G
kezdő: HUF 1 897,90*
100 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 30 V, 8-tüskés, ECH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V
onsemi
ECH8310-TL-H
kezdő: HUF 1 246,70*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 2 elem/chip, 5,5 A, 7 A, 30 V, 8-tüskés, ECH Izolált Si (1 ajánlat) 
Két N/P-csatornás MOSFET on Semiconductor. Az NTJD1155L kétcsatornás MOSFET. A MOSFET a P és az N csatornás termékeket egyetlen csomagban kínálja, és briliáns az alacsony vezérlőjelhez, az alacsony...
onsemi
ECH8661-TL-H
kezdő: HUF 6 829,40*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor FAM65CR51ADZ1 egy teljesítménybe integrált MOSFET modul, amely feszültségnövelő átalakítóval rendelkezik többfázisú és félig megvesztegethetetlen teljesítménytényező-korrekcióhoz...
onsemi
FAM65CR51ADZ2
kezdő: HUF 10 939,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = FAM Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 12 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.051 Ω Maximális ka...
onsemi
FAM65CR51ADZ2
kezdő: HUF 9 448,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN SuperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCA20N60F
kezdő: HUF 1 244,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 47 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN SuperFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCA47N60
kezdő: HUF 2 256,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
onsemi
FCB070N65S3
kezdő: HUF 1 190,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCB070N65S3
kezdő: HUF 6 726,80*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB11N60TM
kezdő: HUF 983,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB11N60TM
kezdő: HUF 444 659,40*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SUPERFET III Si (1 ajánlat) 
A ON SEMICONDUCTOR SUPERFET III sorozatú N-csatornás MOSFET nagyfeszültségű szuper-junction (SJ) MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt ellen...
onsemi
FCB125N65S3
kezdő: HUF 655 867,20*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SUPERFET III Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
onsemi
FCB125N65S3
kezdő: HUF 1 115,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
onsemi
FCB199N65S3
kezdő: HUF 598,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCB199N65S3
kezdő: HUF 9 462,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCB20N60TM
kezdő: HUF 949,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCD7N60TM
kezdő: HUF 300,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH023N65S3 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCH023N65S3-F155
kezdő: HUF 4 253,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres (2 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCH023N65S3L4
kezdő: HUF 5 886,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
onsemi
FCH023N65S3L4
kezdő: HUF 6 703,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH029N Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = FCH029N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
onsemi
FCH029N65S3-F155
kezdő: HUF 5 106,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH029N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...
onsemi
FCH029N65S3-F155
kezdő: HUF 5 093,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 65 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH040N65S3 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 65 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
FCH040N65S3-F155
kezdő: HUF 2 527,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 65 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH040N65S3 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCH040N65S3-F155
kezdő: HUF 3 060,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 77 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SuperFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCH041N60E
kezdő: HUF 2 335,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SuperFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCH041N60F
kezdő: HUF 2 659,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SuperFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCH041N60F
kezdő: HUF 2 565,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH067N65S3 Egyszeres (2 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCH067N65S3-F155
kezdő: HUF 1 570,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 FCH067N65S3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = FCH067N65S3 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
onsemi
FCH067N65S3-F155
kezdő: HUF 8 272,10*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SuperFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCH104N60F
kezdő: HUF 1 408,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SuperFET II Egyszeres Si (1 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCH104N60F
kezdő: HUF 3 634,00*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (2 ajánlat) 
Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmén...
onsemi
FCH125N65S3R0-F155
kezdő: HUF 895,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
FCH125N65S3R0-F155
kezdő: HUF 4 375,50*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (2 ajánlat) 
A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...
onsemi
FCH25N60N
kezdő: HUF 1 497,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (2 ajánlat) 
A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...
onsemi
FCH47N60NF
kezdő: HUF 1 760,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (2 ajánlat) 
A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...
onsemi
FCH76N60N
kezdő: HUF 6 050,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (1 ajánlat) 
A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...
onsemi
FCH76N60N
kezdő: HUF 308 203,20*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 Egyszeres (1 ajánlat) 
700 V TJ = 150 °C mellett Ólommentes, ultravékony SMD-csomag Kelvin kapcsolat Ultra Alacsony Kapu Töltés (Typ. Qg = 49 NC) Alacsony Hatásfokú Kimeneti Kapacitás (Typ. COSS (eff.) = 406 PF) Optimali...
onsemi
FCMT125N65S3
kezdő: HUF 968,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PQFN4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
onsemi
FCMT125N65S3
kezdő: HUF 2 341,90*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 650 V, 4-tüskés, Power88 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = Power88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő fo...
onsemi
FCMT180N65S3
kezdő: HUF 767,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 650 V, 4-tüskés, Power88 Egyszeres (1 ajánlat) 
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charg...
onsemi
FCMT180N65S3
kezdő: HUF 7 398,50*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 4-tüskés, Power88 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = Power88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő fo...
onsemi
FCMT250N65S3
kezdő: HUF 1 786 523,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 4-tüskés, Power88 Egyszeres (1 ajánlat) 
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charg...
onsemi
FCMT250N65S3
kezdő: HUF 945,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmé...
onsemi
FCMT360N65S3
kezdő: HUF 592,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PQFN4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forr...
onsemi
FCMT360N65S3
kezdő: HUF 721,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
onsemi
FCP067N65S3
kezdő: HUF 1 303,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...
onsemi
FCP067N65S3
kezdő: HUF 5 753,00*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 SuperFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...
onsemi
FCP104N60F
kezdő: HUF 948,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmén...
onsemi
FCP125N65S3R0
kezdő: HUF 693,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   14   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.