MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 3,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...

onsemi

SI4532DY

kezdő: HUF 444 533,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 3,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

onsemi

SI4532DY

kezdő: HUF 1 769,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

SI4435DY

kezdő: HUF 134,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

SI4435DY

kezdő: HUF 1 191,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFP70N06

kezdő: HUF 527,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFP70N06

kezdő: HUF 531,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB MegaFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...

onsemi

RFP50N06

kezdő: HUF 410,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB MegaFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFP50N06

kezdő: HUF 359,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

onsemi

RFP12N10L

kezdő: HUF 253,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFP12N10L

kezdő: HUF 13 920,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD3055LESM9A

kezdő: HUF 230 975,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD3055LESM9A

kezdő: HUF 93,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD16N06LESM9A

kezdő: HUF 286,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD16N06LESM9A

kezdő: HUF 1 447,70*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD16N05LSM9A

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD16N05LSM9A

kezdő: HUF 949,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD14N05SM9A

kezdő: HUF 117,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD14N05SM9A

kezdő: HUF 2 360,40*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD14N05LSM9A

kezdő: HUF 98,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD14N05LSM9A

kezdő: HUF 1 080,20*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD14N05LSM

kezdő: HUF 145,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD14N05LSM

kezdő: HUF 141,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD14N05L

kezdő: HUF 237,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

RFD12N06RLESM9A

kezdő: HUF 150,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD12N06RLESM9A

kezdő: HUF 1 254,10*
10 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NXV65HR Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.082 Ω Maximáli...

onsemi

NXV65HR82DZ2

kezdő: HUF 8 647,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...

onsemi

NXV65HR82DZ2

kezdő: HUF 8 669,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DZ1

kezdő: HUF 559 014,20064*
72 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DZ1

kezdő: HUF 7 307,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS2

kezdő: HUF 624 277,60056*
72 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS2

kezdő: HUF 10 009,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS1

kezdő: HUF 561 825,13608*
72 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS1

kezdő: HUF 10 053,00*
db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 52 977,00*
db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 55 023,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 1 215 211,2042*
28 db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 41 628,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 1 629 682,61204*
28 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 55 229,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 85 549,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 82 504,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NVTR4503NT1G

kezdő: HUF 28,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NVTR4503NT1G

kezdő: HUF 2 016,30*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS6H888NTAG

kezdő: HUF 387,73*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVTFS6H888NTAG

kezdő: HUF 452,90004*
6 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 14 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVT (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = NVT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenál...

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

kezdő: HUF 110 977,50*
1 500 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 14 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVT (1 ajánlat)

A on Semiconductor N csatornáján lévő MOSFET 14 amper és 80 volt feszültséggel működik. Kis helyigénye kis RDS-funkcióval (be) ellátott kompakt kialakításhoz, a vezetési veszteség minimálisra csökk...

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

kezdő: HUF 73,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS6H854NTAG

kezdő: HUF 134,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS6H854NTAG

kezdő: HUF 1 279,20*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = NVTFS6H850N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NVTFS6H850NTAG

kezdő: HUF 220 518,00*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 5x6 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVTFS6H850NTAG

kezdő: HUF 3 246,50*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C658NL Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NVTFS5C658NLTAG

kezdő: HUF 228,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 109 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C658NL Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NVTFS5C658NLTAG

kezdő: HUF 2 240,00*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C471NL Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS5C471NLWFTAG

kezdő: HUF 276 419,01*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C471NL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = NVTFS5C471NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVTFS5C471NLWFTAG

kezdő: HUF 4 999,90*
20 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C453NL Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS5C453NLWFTAG

kezdő: HUF 248,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C453NL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NVTFS5C453NLWFTAG

kezdő: HUF 5 980,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NVTFS5124PLTAG

kezdő: HUF 144 231,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NVTFS5124PLTAG

kezdő: HUF 5 146,50*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS5116PLTAG

kezdő: HUF 103,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS5116PLTAG

kezdő: HUF 1 238,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 162 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NVTFS4C02NWFTAG

kezdő: HUF 387,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 162 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat)

The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced opti...

onsemi

NVTFS4C02NWFTAG

kezdő: HUF 569,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28.3 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor autós teljesítmény MOSFET 3x3 mm-es lapos ólom tokozásban, kompakt és hatékony kialakításokhoz és nagy hőteljesítményhez tervezve. A nedvesíthető lágyék opció a jobb optikai elle...

onsemi

NVTFS4C02NTAG

kezdő: HUF 337,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 28.3 A, 30 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 28.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = NVTFS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásell...

onsemi

NVTFS4C02NTAG

kezdő: HUF 461,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS015N04CTAG

kezdő: HUF 112,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. A bővített optikai Vizsgálathoz nedves Asztalterítő Opci...

onsemi

NVTFS015N04CTAG

kezdő: HUF 2 956,50*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 57,8 A, 100 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

kezdő: HUF 313 241,01*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 57,8 A, 100 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 57,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

kezdő: HUF 378,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat)

Gépjármű MOSFET. 60 V, 155 mOhm, egycsatornás, logikai szint, SOT-23.Kis Helyigényű, Szabványos Felületre Szerelhető Sot-23 Csomag Alacsony RDS(on) az alacsony Vezetőképesség Elvesztéséért és A Hat...

onsemi

NVR5198NLT1G

kezdő: HUF 39,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

onsemi

NVR5198NLT1G

kezdő: HUF 820,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NVR1P02T1G

kezdő: HUF 199,47*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor

onsemi

NVR1P02T1G

kezdő: HUF 5 046,10*
50 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET DPAK tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. MOSFET és PPAP, mely a nagyobb megbízhatóságot igénylő autóipari alkalmazásokhoz ...

onsemi

NVMYS8D0N04CTWG

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 49 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS8D0N04CTWG

kezdő: HUF 242,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS7D3N04CLTWG

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS7D3N04CLTWG

kezdő: HUF 171,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 71 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS5D3N04CTWG

kezdő: HUF 671,705*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 71 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 71 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS5D3N04CTWG

kezdő: HUF 256,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 133 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 133 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...

onsemi

NVMYS3D3N06CLTWG

kezdő: HUF 229,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 133 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS3D3N06CLTWG

kezdő: HUF 382,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 252 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben. MOSFET és PPAP rendszerek, amelyek alkalmasak olyan autóipari alkalmazások...

onsemi

NVMYS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 926 331,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 252 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 252 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális n...

onsemi

NVMYS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 1 444,00*
4 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS025N06CLTWG

kezdő: HUF 319 399,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS025N06CLTWG

kezdő: HUF 213,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 27 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS021N06CLTWG

kezdő: HUF 562,775*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS021N06CLTWG

kezdő: HUF 190,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS014N06CLTWG

kezdő: HUF 600,455*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS014N06CLTWG

kezdő: HUF 213,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS011N04CTWG

kezdő: HUF 114,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS011N04CTWG

kezdő: HUF 192,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

onsemi

NVMYS010N04CLTWG

kezdő: HUF 571,955*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 38 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMYS010N04CLTWG

kezdő: HUF 225,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat)

onsemi

NVMTS4D3N15MC

kezdő: HUF 1 112,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 165 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 165 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVMTS4D3N15MC

kezdő: HUF 1 516,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 80 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesített Hasszéllemez, amely fo...

onsemi

NVMTS1D2N08H

kezdő: HUF 2 964 366,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 80 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 337 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVMTS1D2N08H

kezdő: HUF 1 828,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 477 A., 60 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 477 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVMTS0D7N06CLTXG

kezdő: HUF 2 080,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 477 A., 60 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű MOSFET 8 x 8 mm-es, lapos ólomcsomagolásban, amelyet kompakt és hatékony kialakításra, és nagy hőteljesítményt kínál. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vizsgálathoz. MO...

onsemi

NVMTS0D7N06CLTXG

kezdő: HUF 4 022,30*
2 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 420 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMTS0D7N04CTXG

kezdő: HUF 1 473,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 18 előre

MOSFET-ek (1 739 cikk)