MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 376 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = Power 88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

onsemi

NTMTS001N06CTXG

kezdő: HUF 6 417 570,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 398.2 A, 60 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Power 88 Csomag, Ipari Sza...

onsemi

NTMTS001N06CLTXG

kezdő: HUF 5 680 198,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 533 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Az eszközök ólommentesek, ...

onsemi

NTMTS0D6N04CTXG

kezdő: HUF 4 861 033,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 554.5 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 554.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

onsemi

NTMTS0D6N04CLTXG

kezdő: HUF 4 627 212,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 267 A, 100 V, 8-tüskés, TDFNW8 NTMTS Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor NTMFS sorozat n-csatornás MOSFET, amely 100 V-os feszültségforráshoz elvezető Általában szinkron egyenirányítás és DC-DC átalakítás használatos.Ólommentes RoHS megfelelőségű

onsemi

NTMTSC1D6N10MCTXG

kezdő: HUF 3 088 911,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 80 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesített Hasszéllemez, amely fo...

onsemi

NVMTS1D2N08H

kezdő: HUF 2 965 847,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 236 A, 100 V, 8-tüskés, TDFNW8 NTMTS Si (1 ajánlat)

AZ ON Semiconductor NTMTS sorozat n-csatornás MOSFET, amely 100 V forrásfeszültséget kap Általában szinkron egyenirányítás és DC-DC átalakítás használatos.Ólommentes RoHS megfelelőségű

onsemi

NTMTSC002N10MCTXG

kezdő: HUF 2 707 411,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 250 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2734

kezdő: HUF 2 659 756,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kialakítás érdekében Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért LFPAK-E csomag, I...

onsemi

NTMJS1D0N04CTWG

kezdő: HUF 2 606 369,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az N-csatornás MOSFET A Félvezető Advanced Power Trench® eljárásában található. A szilícium és a Dual Cool™ technológia fejlesztései kombináltak a legalacsonyabb RDS(on)-t kínáló technológiákkal...

onsemi

NTMFSC0D9N04CL

kezdő: HUF 2 301 299,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMJS1D6N06CLTWG

kezdő: HUF 2 176 585,02*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 17,3 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NVH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = NVH Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás ...

onsemi

NVH4L160N120SC1

kezdő: HUF 2 102 588,4015*
450 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5H600NL (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5H600NLT1G

kezdő: HUF 2 061 521,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 378 A, 40 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5C404N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C404NT1G

kezdő: HUF 2 046 984,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 1 958 320,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 4-tüskés, Power88 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = Power88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő fo...

onsemi

FCMT250N65S3

kezdő: HUF 1 786 228,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

kezdő: HUF 1 649 133,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 SUPERFET III (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...

onsemi

NTPF095N65S3H

kezdő: HUF 1 560 483,00*
1 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 1 552 640,89624*
28 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.

onsemi

NTMJS0D9N04CLTWG

kezdő: HUF 1 481 192,01*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 1 392 180,30812*
28 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP067N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTP067N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

onsemi

NTP067N65S3H

kezdő: HUF 1 391 929,60*
800 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 136 A, 80 V, 8-tüskés, DFN NTMFS (1 ajánlat)

A ON Semiconductor Power egycsatornás, N-csatornás teljesítményMOSFET 136 amper és 80 volt feszültséggel működik. Az Orring FET/terheléskapcsolás, szinkron Rectifier, DC-DC átalakító alkalmazásokba...

onsemi

NTMFSC004N08MC

kezdő: HUF 1 321 000,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

NDT456P

kezdő: HUF 1 217 596,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS2672

kezdő: HUF 1 207 897,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86200

kezdő: HUF 1 181 742,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86104

kezdő: HUF 1 143 446,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86300

kezdő: HUF 1 136 685,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 362 A, 40 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. A bővített optikai Vizsgálathoz ne...

onsemi

NVMFS5C406NLT1G

kezdő: HUF 1 107 407,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS2572

kezdő: HUF 1 076 164,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 124 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az N-csatornás MV MOSFET Advanced PowerTecch® eljárás, mely magában foglalja az árnyékolt kapura épülő technológiát is. Ez a folyamat úgy lett optimalizálva, hogy az állapot állandóan minimális leg...

onsemi

FDMS86181

kezdő: HUF 1 042 501,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 60 V, 8-tüskés, MLPAK33 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86520L

kezdő: HUF 1 025 511,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 SUPERFET III (1 ajánlat)

onsemi

NTPF165N65S3H

kezdő: HUF 1 008 144,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekéb...

onsemi

NTHL082N65S3F

kezdő: HUF 994 678,002*
450 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 252 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben. MOSFET és PPAP rendszerek, amelyek alkalmasak olyan autóipari alkalmazások...

onsemi

NVMYS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 955 294,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 NTP125N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTP125N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

onsemi

NTP125N65S3H

kezdő: HUF 930 098,40*
800 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 150 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN8 NTTF (1 ajánlat)

A on Semiconductor egycsatornás N csatornás MOSFET 40 V és 150 amper feszültséggel működik. Használható DC-DC Buck konvertereken, terhelési ponton, nagy hatékonyságú terheléskapcsolón és alacsony o...

onsemi

NTTFS2D1N04HLTWG

kezdő: HUF 925 131,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 235 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 235 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVMJS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 916 797,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

onsemi

FDP4D5N10C

kezdő: HUF 895 069,00*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220F Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

onsemi

FDPF4D5N10C

kezdő: HUF 882 441,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 500 V, 3-tüskés, SOT-223 UniFET II (1 ajánlat)

The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also p...

onsemi

FDT4N50NZU

kezdő: HUF 785 801,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 263 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8FL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 263 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMFS002P03P8ZT1G

kezdő: HUF 759 741,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 SUPERFET III (1 ajánlat)

onsemi

NTPF250N65S3H

kezdő: HUF 745 855,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 88 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 88 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

onsemi

NVD5C454NLT4G

kezdő: HUF 697 838,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, MLP8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86102L

kezdő: HUF 664 883,01*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SUPERFET III Si (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR SUPERFET III sorozatú N-csatornás MOSFET nagyfeszültségű szuper-junction (SJ) MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt ellen...

onsemi

FCB125N65S3

kezdő: HUF 653 722,20*
800 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NXV65HR Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.082 Ω Maximáli...

onsemi

NXV65HR82DS2

kezdő: HUF 642 901,33656*
72 db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 SUPERFET III Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

NTP360N80S3Z

kezdő: HUF 628 347,00*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor DPAK-tokban kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Használható autóipari alkalmazásokhoz.Jellemzők Alacsony bekapcso...

onsemi

NVD5C478NLT4G

kezdő: HUF 607 621,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Az NCV8406 három Terminal által védett, alacsony Oldali, intelligens Diszkrét eszköz. A védelmi funkciók közé tartozik a túláram, a túlhőmérséklet, az ESD és az integrált, A Túláram elleni védelmet...

onsemi

NCV8406BDTRKG

kezdő: HUF 606 667,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS1

kezdő: HUF 601 778,20032*
72 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 220 mA, 20 V, 3-tüskés, XDFN3 NTN (1 ajánlat)

A on Semiconductor Power egycsatornás, N-csatornás teljesítményMOSFET 220 milliamper és 80 volt feszültséggel működik. Ez használható kis jel terhelés kapcsolásnál, nagy sebességű összekapcsolásnál...

onsemi

NTNS0K8N021ZTCG

kezdő: HUF 589 912,00*
8 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 237 A, 40 V, 8-tüskés, SO-8FL (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-channel power MOSFET has low on state resistance and low gate charge. It has 237 A of drain current. It is used in point of load modules, high performance DC-DC converters an...

onsemi

NTMFS5C426NLT1G

kezdő: HUF 579 471,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, MLP8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC3612

kezdő: HUF 570 889,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 70 A, 40 V, 8-tüskés, DFN (1 ajánlat)

onsemi

NVMFD5C462NT1G

kezdő: HUF 559 434,00*
1 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 280 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-963 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTUD3170NZT5G

kezdő: HUF 547 537,04*
8 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 185 A, 40 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5C430N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C430NT1G

kezdő: HUF 512 156,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 105 A, 100 V, 5-tüskés, DFN NTMFS005N Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor ipari teljesítményű MOSFET 5x6 mm-es lapos ólomtokozásban kompakt és hatékony kialakításokhoz és nagy hőteljesítményhez tervezték.Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimali...

onsemi

NTMFS005N10MCLT1G

kezdő: HUF 507 786,00*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 101 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB7D Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 101 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = NTB7D Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

onsemi

NTB7D3N15MC

kezdő: HUF 474 617,80*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SuperFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

SuperFET® és SuperFET® II N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a szuper elosztó technológia segítségével hozzáadta a SuperFET® II nagyfeszültségű MOSFET termékcsaládot. Kategóri...

onsemi

FCB11N60TM

kezdő: HUF 445 169,40*
800 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 127 mA, 20 V, Kiürítéses, 3-tüskés, XDFN3 NTN (1 ajánlat)

A on Semiconductor Power egycsatornás, N-csatornás teljesítményMOSFET-EK -127 milliamper és -20 volt feszültséggel működnek. Ez használható kis jel terhelés kapcsolásnál, nagy sebességű összekapcso...

onsemi

NTNS2K1P021ZTCG

kezdő: HUF 443 904,00*
8 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5,7 A, 200 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQD7P20TM

kezdő: HUF 379 782,00*
2 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C680NL (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NVMFD5C680NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVMFD5C680NLT1G

kezdő: HUF 371 221,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 76 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

onsemi

FDP8D5N10C

kezdő: HUF 351 313,60*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 191 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8FL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 191 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8FL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMFS4833NT1G

kezdő: HUF 339 560,505*
1 500 db-ként

MOSFET, 9,2 A, 100 V, 8-tüskés, WDFN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8

onsemi

NTTFS012N10MDTAG

kezdő: HUF 330 329,505*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

NDT2955

kezdő: HUF 321 883,00*
4 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 57,8 A, 100 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVTFS010N10MCLTAG

kezdő: HUF 313 323,00*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMFS6D1N08HT1G

kezdő: HUF 311 024,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-tüskés, WDFN Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET on Semiconductor. Az NTJD1155L kétcsatornás MOSFET. A MOSFET a P és az N csatornás termékeket egyetlen csomagban kínálja, és briliáns az alacsony vezérlőjelhez, az alacsony...

onsemi

NTLJD3119CTBG

kezdő: HUF 307 338,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 76 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 SupreMOS Egyszeres Si (1 ajánlat)

A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...

onsemi

FCH76N60N

kezdő: HUF 306 845,2002*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 54 A, 100 V, 5-tüskés, DFN5 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DFN5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NTMFS015N10MCLT1G

kezdő: HUF 303 309,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 89 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTHL022N120M3S

kezdő: HUF 263 422,0002*
30 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 60 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVMFS5H663NLT1G

kezdő: HUF 252 692,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 3 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat)

PowerTrench® Dual N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Félnél PowerTSUAL® MOSFET-ek optimalizált energiakapcsolt eszközök, amelyek növelik a rendszer hatékonyságát és az áramsűrűséget. A ...

onsemi

FDC6401N

kezdő: HUF 245 953,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 51 A, 30 V, 6-tüskés, DFN NVMFS4C310N Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NVMFS4C310NT1G

kezdő: HUF 225 826,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 60 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NVMFS5C680NLT1G

kezdő: HUF 209 335,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 6-tüskés, TSOT-23 (1 ajánlat)

Csomag típusa = TSOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális teljesítménydisszipáció = 960 mW Elemek száma chipenként = 2

onsemi

FDC3601N

kezdő: HUF 203 512,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = NVTFS6H850N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NVTFS6H850NTAG

kezdő: HUF 202 455,51*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 6-tüskés, WLCSP Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Csomag típusa = WLCSP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres Szélesség = 1.33mm Magasság = 0.4mm

onsemi

FPF2286UCX

kezdő: HUF 198 582,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTTFS5116PLTAG

kezdő: HUF 197 224,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 60 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NTGS5120PT1G

kezdő: HUF 155 282,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 BSS138L Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 50 V on Semiconductor

onsemi

BSS138LT3G

kezdő: HUF 152 527,00*
10 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NVTFS5124PLTAG

kezdő: HUF 151 036,005*
1 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 220 mA, 410 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...

onsemi

FDG6322C

kezdő: HUF 139 312,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,2 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

NDS351AN

kezdő: HUF 123 881,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

NDS0610

kezdő: HUF 115 600,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 54 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 54 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTH4L040N120M3S

kezdő: HUF 111 071,70*
30 db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 98 921,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 92 630,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTR5198NLT1G

kezdő: HUF 82 586,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 74 329,00*
db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 69 953,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 240 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

NTA4001NT1G

kezdő: HUF 62 235,00*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 915 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres (1 ajánlat)

Kisméretű MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm 1 N-csatornás SC-89 ESD-védelemmelAz alacsony RDS(on) Funkció Javítja a rendszer Hatékonyságát Alacsony Küszöbérték Feszültség, 1,5 V Névleges Feszültség ESD-v...

onsemi

NTE4153NT1G

kezdő: HUF 55 308,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTJD5121NT1G

kezdő: HUF 53 001,00*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 52 462,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 235 A, 75 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP032N08

kezdő: HUF 48 377,70*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális ...

onsemi

NVBG020N120SC1

kezdő: HUF 47 605,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 47 023,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 14 előre

MOSFET-ek (1 370 cikk)