MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 3,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...

onsemi

SI4532DY

kezdő: HUF 185,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

SI4435DY

kezdő: HUF 117,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

RFP70N06

kezdő: HUF 469,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFP70N06

kezdő: HUF 427,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB MegaFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor. A MegaFET folyamat, amely az LSI integrált áramköreihez hasonló méretű jellemzőket használ, optimális szilíciumkihasználást eredményez, és kiemelkedő teljes...

onsemi

RFP50N06

kezdő: HUF 412,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220AB MegaFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFP50N06

kezdő: HUF 336,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat)

onsemi

RFP12N10L

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFP12N10L

kezdő: HUF 15 961,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD3055LESM9A

kezdő: HUF 96,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD16N06LESM9A

kezdő: HUF 318,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MegaFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD16N05LSM9A

kezdő: HUF 191,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD14N05SM9A

kezdő: HUF 157,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD14N05LSM9A

kezdő: HUF 110,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

RFD14N05LSM

kezdő: HUF 146,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 50 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

RFD14N05L

kezdő: HUF 258,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

RFD12N06RLESM9A

kezdő: HUF 124,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NXV65HR Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.082 Ω Maximáli...

onsemi

NXV65HR82DZ2

kezdő: HUF 8 661,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Az ON Semiconductor beépített töltő H-Bridge APM16 sorozat LLC és fáziseltolódott DC-DC átalakító. Lehetővé teszi a kis méretű, hatékony és megbízható rendszer kialakítását a jármű üzemanyag-fogyas...

onsemi

NXV65HR82DZ2

kezdő: HUF 8 731,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 26 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = APMCA-A16 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 16 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.082 Ω ...

onsemi

NXV65HR82DZ1

kezdő: HUF 8 364,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DZ1

kezdő: HUF 10 115,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS2

kezdő: HUF 643 116,33648*
72 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS2

kezdő: HUF 8 769,00*
db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS1

kezdő: HUF 600 904,20024*
72 db-ként

MOSFET, 4 elem/chip, 26 A, 650 V, 16-tüskés, APMCA-A16 NXV65HR (1 ajánlat)

onsemi

NXV65HR82DS1

kezdő: HUF 9 825,00*
db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 69 972,00*
db-ként

MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

kezdő: HUF 74 123,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 1 388 092,30812*
28 db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 46 998,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 1 554 175,896*
28 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 52 303,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 92 630,00*
db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 98 826,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NVTR4503NT1G

kezdő: HUF 29,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2.5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NVTR4503NT1G

kezdő: HUF 2 331,50*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS6H888NTAG

kezdő: HUF 372,48*
5 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 3x3 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVTFS6H888NTAG

kezdő: HUF 444,60*
6 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 14 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVT (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = NVT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrásellenál...

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

kezdő: HUF 459,985*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 14 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVT (1 ajánlat)

A on Semiconductor N csatornáján lévő MOSFET 14 amper és 80 volt feszültséggel működik. Kis helyigénye kis RDS-funkcióval (be) ellátott kompakt kialakításhoz, a vezetési veszteség minimálisra csökk...

onsemi

NVTFS6H888NLTAG

kezdő: HUF 72,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS6H854NTAG

kezdő: HUF 133,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS6H854NTAG

kezdő: HUF 1 345,20*
10 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 68 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = NVTFS6H850N Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NVTFS6H850NTAG

kezdő: HUF 202 348,50*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 80 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS6H850N Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 5x6 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVTFS6H850NTAG

kezdő: HUF 3 235,50*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C471NL Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS5C471NLWFTAG

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C471NL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = NVTFS5C471NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVTFS5C471NLWFTAG

kezdő: HUF 5 278,50*
20 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C453NL Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS5C453NLWFTAG

kezdő: HUF 249,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 107 A, 40 V, 8-tüskés, WDFN NVTFS5C453NL Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 107 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = NVTFS5C453NL Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVTFS5C453NLWFTAG

kezdő: HUF 5 959,40*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NVTFS5124PLTAG

kezdő: HUF 151 781,01*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,7 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tápegység, on SEMICONDUCTOR, 30 V - 500 V

onsemi

NVTFS5124PLTAG

kezdő: HUF 5 619,60*
25 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 14 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = WDFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

onsemi

NVTFS5116PLTAG

kezdő: HUF 101,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 60 V, 8-tüskés, WDFN Egyszeres (1 ajánlat)

onsemi

NVTFS5116PLTAG

kezdő: HUF 1 187,00*
10 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 28 előre

MOSFET-ek (1 370 cikk)