MOSFET-ek onsemi a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 433 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 433 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

onsemi

NVMTS0D7N04CLTXG

kezdő: HUF 5 830 222,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) SiC Power SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...

onsemi

NTBG015N065SC1

kezdő: HUF 4 756 019,00*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 116 A, 900 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 116 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...

onsemi

NTH4L020N090SC1

kezdő: HUF 2 999 463,201*
450 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 337 A, 80 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Autóipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesített Hasszéllemez, amely fo...

onsemi

NVMTS1D2N08H

kezdő: HUF 2 964 313,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 135 A, 150 V, 8-tüskés, DFNW8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 135 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMTS6D0N15MC

kezdő: HUF 2 865 912,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 236 A, 100 V, 8-tüskés, TDFNW8 NTMTS Si (1 ajánlat)

AZ ON Semiconductor NTMTS sorozat n-csatornás MOSFET, amely 100 V forrásfeszültséget kap Általában szinkron egyenirányítás és DC-DC átalakítás használatos.Ólommentes RoHS megfelelőségű

onsemi

NTMTSC002N10MCTXG

kezdő: HUF 2 706 011,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 250 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

FDMS2734

kezdő: HUF 2 656 812,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 NTH4LN019N Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = NTH4LN019N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenál...

onsemi

NTH4LN019N65S3H

kezdő: HUF 2 595 925,9035*
450 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 342 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 342 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = NTBGS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forráselle...

onsemi

NTBGS001N06C

kezdő: HUF 2 591 210,20*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 203 A, 80 V, 8-tüskés, M0-299A (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-channel power MOSFET has low on state resistance and low gate charge. It has 203 A of drain current. It is used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material...

onsemi

NTBLS1D7N08H

kezdő: HUF 2 434 805,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 533 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Az eszközök ólommentesek, ...

onsemi

NTMTS0D6N04CTXG

kezdő: HUF 2 423 673,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 398.2 A, 60 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis Helyigény (8x8 mm) a kompakt Kialakításhoz Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért Power 88 Csomag, Ipari Sza...

onsemi

NTMTS001N06CLTXG

kezdő: HUF 2 351 490,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 376 A, 60 V, 8-tüskés, Power 88 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 376 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = Power 88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

onsemi

NTMTS001N06CTXG

kezdő: HUF 2 338 131,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 554.5 A, 40 V, 8-tüskés, DFNW8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 554.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DFNW8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

onsemi

NTMTS0D6N04CLTXG

kezdő: HUF 2 325 558,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 378 A, 40 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5C404N (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NTMFS5C404NT1G

kezdő: HUF 2 052 252,51*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 4-tüskés, Power88 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = Power88 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő fo...

onsemi

FCMT250N65S3

kezdő: HUF 1 823 094,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 130 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86350

kezdő: HUF 1 801 777,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

The ON Semiconductor N-channel MOSFET is produced using advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and...

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

kezdő: HUF 1 652 745,00*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 1 632 499,61224*
28 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 241.3 A, 80 V, 8-tüskés, H-PSOF8L (1 ajánlat)

The ON Semiconductor automotive power MOSFET in a TOLL package for efficient designs with high thermal performance. It has drain current of 241.3 A.Minimize conduction losses Minimize driver losses...

onsemi

NVBLS1D7N08H

kezdő: HUF 1 609 546,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 SUPERFET III (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...

onsemi

NTPF095N65S3H

kezdő: HUF 1 565 017,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 330 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.

onsemi

NTMJS0D9N04CLTWG

kezdő: HUF 1 555 509,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NTMJS1D6N06CLTWG

kezdő: HUF 1 554 645,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kialakítás érdekében Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért LFPAK-E csomag, I...

onsemi

NTMJS1D0N04CTWG

kezdő: HUF 1 554 269,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 A, 60 V, 5-tüskés, DFN5 NTMFS Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 230 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFN5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrá...

onsemi

NTMFS5C612NT1G-TE

kezdő: HUF 1 361 902,005*
1 500 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 163 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) NVD5C434N Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V on Semiconductor

onsemi

NVD5C434NT4G

kezdő: HUF 1 359 741,50*
2 500 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 136 A, 80 V, 8-tüskés, DFN NTMFS (1 ajánlat)

A ON Semiconductor Power egycsatornás, N-csatornás teljesítményMOSFET 136 amper és 80 volt feszültséggel működik. Az Orring FET/terheléskapcsolás, szinkron Rectifier, DC-DC átalakító alkalmazásokba...

onsemi

NTMFSC004N08MC

kezdő: HUF 1 318 975,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 258 A., 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben.

onsemi

NTMYS1D2N04CLTWG

kezdő: HUF 1 306 698,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 313 A, 40 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az N-csatornás MOSFET A Félvezető Advanced Power Trench® eljárásában található. A szilícium és a Dual Cool™ technológia fejlesztései kombináltak a legalacsonyabb RDS(on)-t kínáló technológiákkal...

onsemi

NTMFSC0D9N04CL

kezdő: HUF 1 287 269,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDS86540

kezdő: HUF 1 264 130,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 200 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS2672

kezdő: HUF 1 248 010,02*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 1 216 555,2042*
28 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 111 A, 60 V, 8-tüskés, DFN NVMFD5C650NL (1 ajánlat)

Autóipari teljesítmény-MOSFET 5x6 mm méretű, laposvezetékes tokozásban, kompakt és hatékony kivitelezéshez, kiváló termikus teljesítménnyel. Nedvesíthető peremű opció is elérhető fejlett optikai vi...

onsemi

NVMFD5C650NLWFT1G

kezdő: HUF 1 208 034,00*
1 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 37.2 A, 150 V, 8-tüskés, WDFN NTTFS Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor ipari teljesítményű MOSFET 3,3x3,3 mm-es lapos ólom tokozásban kompakt és hatékony kialakításhoz és a vezetési veszteség javulásához tervezték.Alacsony RDS(be) a vezetési vesztes...

onsemi

NTTFS022N15MC

kezdő: HUF 1 207 141,02*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmén...

onsemi

NVB072N65S3

kezdő: HUF 1 180 016,00*
800 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86104

kezdő: HUF 1 143 763,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 7,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

NDT456P

kezdő: HUF 1 126 724,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 150 V, 8-tüskés, Power 33 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 10A 19.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86260

kezdő: HUF 1 095 094,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 35 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86200

kezdő: HUF 1 079 005,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN8 UltraFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDMS2572

kezdő: HUF 1 072 578,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 124 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az N-csatornás MV MOSFET Advanced PowerTecch® eljárás, mely magában foglalja az árnyékolt kapura épülő technológiát is. Ez a folyamat úgy lett optimalizálva, hogy az állapot állandóan minimális leg...

onsemi

FDMS86181

kezdő: HUF 1 063 874,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...

onsemi

NTMFS022N15MC

kezdő: HUF 1 061 527,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86300

kezdő: HUF 1 048 074,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 60 V, 8-tüskés, MLPAK33 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMC86520L

kezdő: HUF 1 028 398,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 26 A, 30 V, 8-tüskés, Power 33 PowerTrench Sorba kötött Si (1 ajánlat)

PowerTrench® Dual N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Félnél PowerTSUAL® MOSFET-ek optimalizált energiakapcsolt eszközök, amelyek növelik a rendszer hatékonyságát és az áramsűrűséget. A ...

onsemi

FDPC8013S

kezdő: HUF 980 630,01*
3 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 252 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Gépjármű MOSFET 5 x 6 mm-es LFPAK csomagban, kompakt és hatékony kialakításhoz, nagy hőteljesítményt is nyújtó kivitelben. MOSFET és PPAP rendszerek, amelyek alkalmasak olyan autóipari alkalmazások...

onsemi

NVMYS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 921 736,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 128 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220F Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

onsemi

FDPF4D5N10C

kezdő: HUF 903 954,00*
1 000 db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 235 A, 40 V, 8-tüskés, LFPAK8 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 235 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = LFPAK8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...

onsemi

NVMJS1D3N04CTWG

kezdő: HUF 887 263,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...

onsemi

FDD8444

kezdő: HUF 872 113,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 38 A, 650 V, TO247-4L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NTH4L075N065SC1

kezdő: HUF 859 589,2035*
450 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 35 előre

MOSFET-ek (1 739 cikk)