Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☑
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Ajánlatok ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 82 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
1
IXYS
IXFN100N50Q3
kezdő: HUF 15 712,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 310 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat
2
IXYS
IXFN360N15T2
kezdő: HUF 15 360,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 63 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
2
IXYS
IXFN80N50Q3
kezdő: HUF 1 469,60*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 145 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = HiperFET Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...
3
IXYS
IXFN150N65X2
kezdő: HUF 15 264,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 55 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 SCTH50N120-7 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCTH50N120-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...
1
ST Microelectronics
SCTH50N120-7
kezdő: HUF 15 235,00*
db-ként
 
 db
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 102 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NVH SiC (1 ajánlat) 
A on Semiconductor Silicon carbide Power MOSFET 102 Amper és 1200 volt feszültséggel működik. A fedélzeti töltőben, DC- vagy DC-átalakító alkalmazásokban használható.AEC Q101 minősített Gyártási al...
1
onsemi
NVH4L020N120SC1
kezdő: HUF 15 230,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 1000 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
1
IXYS
IXTN22N100L
kezdő: HUF 15 127,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 98 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális ...
1
onsemi
NVBG020N120SC1
kezdő: HUF 14 834,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 192 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)
1
IXYS
IXFN210N30P3
kezdő: HUF 14 683,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 170 A, 650 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET Egyszeres (1 ajánlat) 
Alacsony RDS(ON) és Qg Gyors testdióda dv/dt tartósság Minősített lavinahatás Alacsony csomaginduktivitás Nemzetközi szabványnak megfelelő csomagolás Rezonáns mód tápellátás Nagy intenzitású kisülé...
1
IXYS
IXFN170N65X2
kezdő: HUF 14 586,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
1
IXYS
IXFK26N120P
kezdő: HUF 338 797,40*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
3
IXYS
IXFN60N80P
kezdő: HUF 1 334,80*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 91 A, 1200 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 91 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
2
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
kezdő: HUF 14 389,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 1200 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő f...
1
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
kezdő: HUF 14 202,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 178 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear L2 (2 ajánlat) 
N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...
2
IXYS
IXTN200N10L2
kezdő: HUF 14 133,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.