Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (10 941 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...
Vishay
SQ3460EV-T1_GE3
kezdő: HUF 149,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...
Vishay
SQ3460EV-T1_GE3
kezdő: HUF 2 364,60*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyel...
Toshiba
TJ8S06M3L
kezdő: HUF 336 632,00*
2 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Gépjárművek Motormeghajtók DC-DC átalakítók Kapcsolásifeszültség-szabályozók Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás: RDS(ON) = 43 mΩ (jell.) (VGS = 10 V esetén) Alacsony szivárgó áram: IDSS = 10 μA ...
Toshiba
TK8S06K3L
kezdő: HUF 218 638,00*
2 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Alkalmazások Gépjárművek Motormeghajtók DC-DC átalakítók Kapcsolásifeszültség-szabályozók Jellemzők Alacsony fogyasztó-forrási ellenállás: RDS(ON) = 80 mΩ (jell.) (VGS = -10 V esetén) Alacsony sziv...
Toshiba
TJ8S06M3L
kezdő: HUF 1 457,90*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyel...
Toshiba
TK8S06K3L
kezdő: HUF 1 850,80*
10 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...
Diodes
DMN6069SE-13
kezdő: HUF 59,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...
Vishay
SQS462EN-T1_GE3
kezdő: HUF 204,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 SQ Rugged Egyszeres Si (1 ajánlat) 
AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfo...
Vishay
SQS462EN-T1_GE3
kezdő: HUF 510,50*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás PowerTTrench® MOSFET 100V, 80A, 4,5 mΩJellemző RDS(on) = 5,2 mΩ VGS = 10 V, ID = 80 A Jellemző Qg(tot) = 31 NC VGS-nél = 10 V, ID = 80 A UIS-képesség Ezek ólommentes eszközök Nedvesíthe...
onsemi
FDWS86068-F085
kezdő: HUF 543,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 8-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = DFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
onsemi
FDWS86068-F085
kezdő: HUF 2 605,50*
4 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (2 ajánlat) 
A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 55,00*
db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMN3009SK3-13
kezdő: HUF 2 826,70*
25 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...
Diodes
DMNH6011LK3-13
kezdő: HUF 1 771,80*
5 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 80 V, 5-tüskés, DFN Egyszeres (1 ajánlat) 
Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kialakítás érdekében Alacsony RDS(be) a vezetési veszteségek minimalizálásáért Kis QG érték és kapacitás a hajtási veszteségek minimalizálásáért NVMFSW6D1N08H - N...
onsemi
NVMFS6D1N08HT1G
kezdő: HUF 310 616,01*
1 500 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   730   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.