MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (21/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 55,9 A, 100 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 55,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = N...

Vishay

SISS5110DN-T1-GE3

kezdő: HUF 1 068 305,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 362 A, 60 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 362 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...

Vishay

SQJ160EP-T1_GE3

kezdő: HUF 1 064 701,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 80 V, 7-tüskés, MG-WDSON-2 OptiMOS™ Si (1 ajánlat)

Az OptiMOS Infineon termékskálája piacvezető az áramtermelés (pl. napelemes mikroinverter), a tápellátás (pl. szerver és távközlés) és az energiafogyasztás (pl. elektromos jármű) hatékony megoldásá...

Infineon

BSB104N08NP3GXUSA1

kezdő: HUF 1 064 360,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 75 A, 650 V, HU3PAK (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HU3PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

ST Microelectronics

STHU32N65DM6AG

kezdő: HUF 1 064 067,60*
600 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 204 A, 40 V, 8-tüskés, VSON-CLIP NexFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD18502Q5B

kezdő: HUF 1 061 009,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 124 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat)

Az N-csatornás MV MOSFET Advanced PowerTecch® eljárás, mely magában foglalja az árnyékolt kapura épülő technológiát is. Ez a folyamat úgy lett optimalizálva, hogy az állapot állandóan minimális leg...

onsemi

FDMS86181

kezdő: HUF 1 060 333,02*
3 000 db-ként

Infineon AUIRFR8403 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

AUIRFR8403TRL

kezdő: HUF 1 059 667,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 41.9 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PQFN 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...

onsemi

NTMFS022N15MC

kezdő: HUF 1 059 534,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDMS86300

kezdő: HUF 1 047 342,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

ROHM Semiconductor

R6511KND3TL1

kezdő: HUF 1 044 808,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 78 A, 40 V, 8-tüskés, HSOP8 (1 ajánlat)

A ROHM teljesítmény MOSFET HSOP8 tokozású. Elsősorban terheléskapcsolásra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Kis felületre szerelhető csomag Ólommentes bevonat, RoHS kompatibilis

ROHM Semiconductor

RS1G201ATTB1

kezdő: HUF 1 042 140,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 8-tüskés, TSDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött

Infineon

BSZ520N15NS3 G

kezdő: HUF 1 040 861,00*
5 000 db-ként

MOSFET, 48 A, 40 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat)

A Taiwan Semiconductor egycsatornás MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás...

Taiwan Semiconductor

TSM110NB04DCR

kezdő: HUF 1 039 453,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 30 A, 60 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat)

Taiwan Semiconductor

TSM250NB06DCR

kezdő: HUF 1 037 201,50*
2 500 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

ST Microelectronics

STB33N60DM6

kezdő: HUF 1 032 397,00*
1 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)