MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (25/730 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Infineon BSZ0503NSI tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

BSZ0503NSIATMA1

kezdő: HUF 179,00*
db-ként

MOSFET + Dióda, 1 elem/chip, 82 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma...

Infineon

BSZ0503NSIATMA1

kezdő: HUF 319,00*
db-ként

Infineon IPD80R4K5P7 tranzisztor 500 V (2 ajánlat)

Infineon

IPD80R4K5P7ATMA1

kezdő: HUF 94,00*
db-ként

MOSFET + Dióda, 1,5 A, PG-TO252-3 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 1,5 A Csomag típusa = PG-TO252-3

Infineon

IPD80R4K5P7ATMA1

kezdő: HUF 115,00*
db-ként

Infineon BSC0924NDI tranzisztor 30 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC0924NDIATMA1

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

MOSFET + Dióda, 2 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma...

Infineon

BSC0924NDIATMA1

kezdő: HUF 228,00*
db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 829 637,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9LPSW-13

kezdő: HUF 526,00*
db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 818 664,50*
2 500 db-ként

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMT10H4M9SPSW-13

kezdő: HUF 520,00*
db-ként

MOSFET OptiMOS™ (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Infineon

BSC010N04LSATMA1

kezdő: HUF 637,20*
2 db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = ...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 688,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 2 729,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 601,00*
db-ként

MOSFET modul, 1 elem/chip, 15 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat)

Az STMicroelectronics új MDmesh™ M6 technológiája magában foglalja az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh-családjának legújabb fejlesztései által elért eredményeket. Az STMicroelectronics az...

ST Microelectronics

STF22N60M6

kezdő: HUF 620,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 730 előre

MOSFET-ek (10 941 cikk)