MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (407/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

Gépjármű N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor olyan megoldásokat kínál, amelyek a minőségi, biztonsági és megbízhatósági szabványok alapos ellenőrzésével megoldják...

onsemi

FDD8447L

kezdő: HUF 675,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 75.4 A, 150 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB01 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = NTB01 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

onsemi

NTB011N15MC

kezdő: HUF 675,00*
db-ként

MOSFET, 155 A, 60 V, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 155 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

onsemi

NTD5C632NLT4G

kezdő: HUF 675,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 80 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDC3512

kezdő: HUF 674,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

NDT3055L

kezdő: HUF 674,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 700 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Sorozat = CoolMOS™ Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...

Infineon

IPP65R190CFD7XKSA1

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 235 A, 60 V, 8-tüskés, DFN8 5 x 6 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 235 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = DFN8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

onsemi

NTMFSC1D6N06CL

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

Infineon IRFP4229 tranzisztor 40 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFP4229PBF

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 30 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 80 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Infineon

IPP80P03P4L04AKSA2

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ Szilikon (1 ajánlat)

A COOL MOS™ C7 Infineon kialakítása egy forradalmi technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a Super junction (SJ) elv alapján terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V...

Infineon

IPA60R180C7XKSA1

kezdő: HUF 674,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

NDT014L

kezdő: HUF 673,705*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 8 V - 25 V, Vishay Semiconductor

Vishay

SI1012CR-T1-GE3

kezdő: HUF 673,40*
20 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 13 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 8 x 8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mó...

Vishay

SIHH250N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 673,00*
db-ként

Infineon IPD25N06S4L-30 tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD25N06S4L30ATMA2

kezdő: HUF 672,30*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6.3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDT439N

kezdő: HUF 672,20*
5 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)