Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (10 941 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) M6 Si (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás MDmesh M6 Power MOSFET a legújabb fejlesztéseket tartalmazza az SJ MOSFET-EK ismert és konszolidált MDmesh családjában. Az MDhálós eszközök előző generációja az új...
ST Microelectronics
STD18N60M6
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 71 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat) 
Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...
onsemi
NTMYS5D3N04CTWG
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 11 A, 150 V, PowerDI5060-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerDI5060-8
Diodes
DMTH15H017SPSWQ-13
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
kezdő: HUF 474,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSC028N06NSATMA1
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
A 600 V-os Cool MOS P7 szuper csatlakozó MOSFET továbbra is egyensúlyt teremt a nagy hatékonyság és a tervezési folyamat egyszerű használata között. A COOL MOS™ 7. Generációs platform kategóriaelső...
Infineon
IPP60R280P7XKSA1
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 180 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 180 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRF1404ZSTRLPBF
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 6 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 6 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekm...
ROHM Semiconductor
RD3R05BBHTL1
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET II Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-Channel STripfFET™ II, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.
ST Microelectronics
STP80NF10
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRFB3207ZPBF
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 146 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 146 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiR580DP-T1-RE3
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 35 A, 150 V, TO-220AB (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt
Infineon
IRFB5615PBF
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 45 A, 60 V, PG-TO220-FP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-TO220-FP Rögzítés típusa = SMD
Infineon
IPA060N06NXKSA1
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
kezdő: HUF 473,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STF13NM60N
kezdő: HUF 472,00*
db-ként
kezdő: HUF 472,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 113 A, 100 V, 5-tüskés, DFN NTMFS4D2N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor N-csatornás MV MOSFET egy árnyékolt kapu technológiát tartalmazó Advanced Power Trench eljárással készül. Ezt a folyamatot úgy optimalizáltuk, hogy minimalizálja a bekapcsolt áll...
onsemi
NTMFS4D2N10MDT1G
kezdő: HUF 472,00*
db-ként
kezdő: HUF 472,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) CoolMOS™ P7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = 600 V CoolMOS P7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő...
Infineon
IPB60R280P7ATMA1
kezdő: HUF 472,00*
db-ként
kezdő: HUF 472,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   730   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.