Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP019N08NF2S (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = IPP019N08NF2S Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális kapu küszöbfeszül...
Infineon
IPP019N08NF2SAKMA1
kezdő: HUF 453,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 80 V, 3-tüskés, TO-220 IPP019N08NF2S (1 ajánlat) 
A Infineon IPP019N08NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 80 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. Ez...
Infineon
IPP019N08NF2SAKMA1
kezdő: HUF 629,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N80Q3
kezdő: HUF 8 146,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N80Q3
kezdő: HUF 10 397,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 320 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
IRFS7434TRLPBF
kezdő: HUF 436,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET-et az elosztó partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálták. A korábbi szilíciumgenerációhoz képest lágyabb a test-diódaKépes hullámforrasztásra
Infineon
IRFS7434TRLPBF
kezdő: HUF 566,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 320 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásell...
Infineon
AUIRF2804STRL7P
kezdő: HUF 652 167,60*
800 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 320 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A Infineon teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további jellemzői a ...
Infineon
AUIRF2804STRL7P
kezdő: HUF 1 162,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 100 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN2110ASTZ
kezdő: HUF 173,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 100 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN2110ASTZ
kezdő: HUF 214 505,00*
2 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 100 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVNL110ASTZ
kezdő: HUF 99,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 100 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVNL110A
kezdő: HUF 122,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 100 V, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVNL110ASTZ
kezdő: HUF 2 336,70*
20 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia
Nexperia
BSS138BKW,115
kezdő: HUF 30,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET Schottky diódával on Semiconductor
onsemi
2V7002KT1G
kezdő: HUF 13,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.