MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (734/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

Vishay

SIHP22N60EF-GE3

kezdő: HUF 4 149,00*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SIHP24N80AEF-GE3

kezdő: HUF 840,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB (1 ajánlat)

Vishay

SIHP24N80AEF-GE3

kezdő: HUF 972,00*
db-ként

MOSFET, 25 A, 400 V, TO-220AB (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 400 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

SIHP25N40D-GE3

kezdő: HUF 531,00*
db-ként

MOSFET, 25 A, 400 V, TO-220AB (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 400 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt

Vishay

SIHP25N40D-GE3

kezdő: HUF 712,00*
db-ként

Vishay SIHP25N50E-GE3 IGBT (2 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIHP25N50E-GE3

kezdő: HUF 528,00*
db-ként

Vishay SIHP25N50E-GE3 IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIHP25N50E-GE3

kezdő: HUF 3 812,10*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat)

A Vishay Siliconix a félvezető technológia és a csomagok megbízhatóságának megbízhatósági adatait az összes minősített helyszín összetett halmaza.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektí...

Vishay

SIHP5N80AE-GE3

kezdő: HUF 297,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E-Series (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E-Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenáll...

Vishay

SIHP5N80AE-GE3

kezdő: HUF 279,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB E (2 ajánlat)

A Vishay SI690N60E-GEO3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...

Vishay

SIHP690N60E-GE3

kezdő: HUF 432,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220AB E (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A, 6.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SIHP690N60E-GE3

kezdő: HUF 640,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 400 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP6N40D-GE3

kezdő: HUF 10 110,00*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 400 V, 3-tüskés, TO-220AB D Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHP6N40D-GE3

kezdő: HUF 203,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SiHP6N80AE-GE3

kezdő: HUF 331,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat)

Vishay

SiHP6N80AE-GE3

kezdő: HUF 379,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 731 732 733 734 735 736 737 738 739 740 741 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 920 cikk)