Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "diszkrét félvezetők"

  diszkrét félvezetők  (33 354 ajánlat 4 316 074 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „diszkrét félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
100%
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Diodes
DMT10H4M9SPSW-13
kezdő: HUF 818 906,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
100%
Magas feszültségű bipoláris tranzisztor 2SA1579U3T106, PNP, 50 mA, -120 V, 3-tüskés (1 ajánlat) 
Tranzisztortípus = PNP Maximális DC kollektoráram = 50 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = -120 V Csomag típusa = SOT-323 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek sz...
ROHM Semiconductor
2SA1579U3T106
kezdő: HUF 22,00*
db-ként
 
 db
100%
Magas feszültségű bipoláris tranzisztor 2SA1579U3T106, PNP, 50 mA, -120 V, 3-tüskés (1 ajánlat) 
Tranzisztortípus = PNP Maximális DC kollektoráram = 50 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = -120 V Csomag típusa = SOT-323 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek sz...
ROHM Semiconductor
2SA1579U3T106
kezdő: HUF 148,83*
5 db-ként
 
 csomagok
100%
Low-current voltage regulator diode (1 ajánlat) 
Diódák konfigurációja = EgyszeresV Elemek száma chipenként = 1 Maximális teljesítménydisszipáció = 365 mW Csomag típusa = DFN1006BD–2 Zener típusa = Feszültségszabályozó
Nexperia
BZX8850S-C3V6-QYL
kezdő: HUF 20,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT10N120
kezdő: HUF 2 751,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM100DY-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 100, 1200 V, Modul 2 Kettős félhíd (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 100 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 2 Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = ...
Mitsubishi
CM100DY-24T 300G
kezdő: HUF 42 927,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM100DY-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 100, 1200 V, Modul 2 Kettős félhíd (1 ajánlat) 
A kettős IGBT modul Mitsubishi Electric 1200V-ja lapos alappal és modulonként hat meghajtóval rendelkezik. 100A folyamatos kollektor áramot tartalmaz, és alkalmas kemény kapcsolásra és lágy kapcsol...
Mitsubishi
CM100DY-24T 300G
kezdő: HUF 263 555,90*
10 db-ként
 
 csomag
100%
Low-current voltage regulator diode (1 ajánlat) 
Diódák konfigurációja = EgyszeresV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális teljesítménydisszipáció = 365 mW Csomag típusa = DFN1006BD–2 Zener típusa = Feszültségszabályozó
Nexperia
BZX8850S-C3V9-QYL
kezdő: HUF 20,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 20 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
kezdő: HUF 4 671,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM100TX-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 100, 1200 V, Modul 6 3 fázisú (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 100 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 6 Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = ...
Mitsubishi
CM100TX-24T 300G
kezdő: HUF 68 101,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM100TX-24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 100, 1200 V, Modul 6 3 fázisú (1 ajánlat) 
A Mitsubishi Electric 1200V IGBT modul lapos alappal és modulonként hat meghajtóval, megszakított IGBT-vel rendelkezik. 100A folyamatos kollektor áramot tartalmaz, és alkalmas kemény kapcsolásra és...
Mitsubishi
CM100TX-24T 300G
kezdő: HUF 367 718,10003*
9 db-ként
 
 csomag
100%
Low-current voltage regulator diode (1 ajánlat) 
Diódák konfigurációja = EgyszeresV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális teljesítménydisszipáció = 365 mW Csomag típusa = DFN1006BD–2 Zener típusa = Feszültségszabályozó
Nexperia
BZX8850S-C43YL
kezdő: HUF 201 088,00*
10 000 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-220FP ST SiC (1 ajánlat) 
Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...
ST Microelectronics
STF33N60DM6
kezdő: HUF 1 596,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM150TX -24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 150, 1200 V, Modul 6 3 fázisú (1 ajánlat) 
A Mitsubishi Electric 1200V IGBT modul lapos alappal és modulonként hat meghajtóval, megszakított IGBT-vel rendelkezik. 100A folyamatos kollektor áramot tartalmaz, és alkalmas kemény kapcsolásra és...
Mitsubishi
CM150TX -24T 300G
kezdő: HUF 93 162,00*
db-ként
 
 db
100%
Mitsubishi Electric CM150TX -24T #300G IGBT-modul N-csatornás, 150, 1200 V, Modul 6 3 fázisú (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 150 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Tranzisztorok száma = 6 Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = ...
Mitsubishi
CM150TX -24T 300G
kezdő: HUF 504 276,00003*
9 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   1481   1482   1483   1484   1485   1486   1487   1488   1489   1490   1491   ..   2224   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.