diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (2 007/2 546 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Infineon

IMW65R039M1HXKSA1

kezdő: HUF 79 633,6002*
30 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...

Infineon

IRFR4104TRLPBF

kezdő: HUF 737 309,01*
3 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK SL (TO-251 SL) CoolMOS™ CE Si (1 ajánlat)

Infineon 600V CoolMOS™ sorozatú N csatornás teljesítmény MOSFET. A CoolMOS™ CE alkalmas kemény és lágy kapcsolási alkalmazásokhoz, és modern szupercsomópontként alacsony vezetési és kapcsolási vesz...

Infineon

IPS60R1K5CEAKMA1

kezdő: HUF 114,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...

onsemi

NTMYS8D0N04CTWG

kezdő: HUF 268,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 SiC Power SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SiC Power Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenáll...

onsemi

NTH4L060N090SC1

kezdő: HUF 2 428,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET sorozat 55V maximális elvezető forrás feszültség Ez egy N-csatornás HEXFET teljesítmény MOSFET egy D-Pak csomag típus. A Infineon sorozat ötödik generációs HEX...

Infineon

IRLR2905TRLPBF

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Vishay

SiHP6N80AE-GE3

kezdő: HUF 332,00*
db-ként

100%

Infineon BSC117N08NS5 tranzisztor 75 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC117N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 995,255*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 46.2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMTH4008LPDW (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46.2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = DMTH4008LPDW Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMTH4008LPDW-13

kezdő: HUF 274 951,50*
2 500 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 60 V, 8-tüskés, TDSON (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TDSON Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...

Infineon

BSC155N06NDATMA1

kezdő: HUF 215,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5,1 A, 60 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR9014TRPBF

kezdő: HUF 341 950,00*
2 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 1700 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C2M1000170D

kezdő: HUF 82 539,60*
30 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 460 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 L (1 ajánlat)

A Vishay Automotive N-csatornás, 40 V-os (D-S), 175 °C-os MOSFET PowerPAK 8 x 8L tokozású.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve Vékony, 1.6 mm-e...

Vishay

SQJQ142E-T1_GE3

kezdő: HUF 716 287,00*
2 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42,6 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növe...

Vishay

SIR5112DP-T1-RE3

kezdő: HUF 548,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5,2 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 IMBF1 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 5,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1700 V Sorozat = IMBF1 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásel...

Infineon

IMBF170R1K0M1XTMA1

kezdő: HUF 844 011,00*
1 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 .. 2546 előre

diszkrét félvezetők (38 187 ajánlat 4 346 245 cikkből)