diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (2 027/2 574 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 1500 V, 3-tüskés, TO-3PN Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1500 V Csomag típusa = TO-3PN Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

Renesas Electronics

2SK1835-E

kezdő: HUF 67 321,50*
30 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si (1 ajánlat)

A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a...

Infineon

IRF1310NSTRLPBF

kezdő: HUF 443,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 4-tüskés, HiP247-4 Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = HiP247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásell...

ST Microelectronics

SCTWA35N65G2V-4

kezdő: HUF 4 575,00*
db-ként

100%

Infineon IPW60R060P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW60R060P7XKSA1

kezdő: HUF 1 434,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RUR040N02HZGTL

kezdő: HUF 135,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 60 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STL42P6LLF6

kezdő: HUF 286,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Elemek száma chip...

Infineon

IMBG65R048M1HXTMA1

kezdő: HUF 2 199 264,00*
1 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 40 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Egyszeres (1 ajánlat)

Ipari MOSFET-teljesítménytranzisztor 5 x 6 mm méretű, lapos kivezetéses tokban, kompakt és hatékony kialakításokhoz tervezve, kiváló termikus teljesítménnyel.Kis helyigény (5 x 6 mm) a kompakt kial...

onsemi

NTMYS8D0N04CTWG

kezdő: HUF 445,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RQ5E040TNTL

kezdő: HUF 63,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek sz...

Vishay

SIHK055N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 1 622,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 45.1 A., 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45.1 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SIS126DN-T1-GE3

kezdő: HUF 185,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 49 A, 650 V, 8-tüskés, H-PSOF8L NTBL050N65S Si (1 ajánlat)

A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...

onsemi

NTBL050N65S3H

kezdő: HUF 2 528,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 6.4 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E (2 ajánlat)

A Vishay SIHD690N60E-G3 e sorozatú teljesítmény MOSFET.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Lavinaenergia-...

Vishay

SIHD690N60E-GE3

kezdő: HUF 257,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42.3 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiS176LDN-T1-GE3

kezdő: HUF 131,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 454 A, 60 V, 8-tüskés, PG HSOG-8 (TOLG) IPTG (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 454 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG HSOG-8 (TOLG) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Infineon

IPTG007N06NM5ATMA1

kezdő: HUF 2 194 724,016*
1 800 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 .. 2574 előre

diszkrét félvezetők (38 609 ajánlat 4 189 256 cikkből)