IGBT a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (21/155 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

onsemi optocsatoló, kimeneti eszk.: IGBT, MOSFET, 1 csatornás, furatszerelt, PDIP, 8 tüskés (1 ajánlat)

Rögzítés típusa = Átmenő furat Kimeneti eszköz = IGBT, MOSFET Maximális nyitóirányú feszültség = 1.8V Csatornák száma = 1 Tüskék száma = 8 Csomag típusa = PDIP Jellemző emelkedési eső = 60ns Maximá...

onsemi

FOD3120

kezdő: HUF 2 903,80*
10 db-ként

onsemi NGTB25N120FL3WG IGBT N-csatornás, 100 A, 1200 V, 1MHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

On Semiconductor IGBT diszkrét. Szigetelt Gate bipoláris tranzisztorok (IGBT) motormeghajtókhoz és egyéb nagy áramerősségű kapcsolási alkalmazásokhoz.

onsemi

NGTB25N120FL3WG

kezdő: HUF 31 509,5001*
30 db-ként

onsemi FGH60N60SMD IGBT N-csatornás, 120 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AB Egyszeres (2 ajánlat)

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor

onsemi

FGH60N60SMD

kezdő: HUF 1 546,00*
db-ként

onsemi FGH75T65SHDTL4 IGBT P-csatornás, 150 A, 650 V, 1MHz, 4-tüskés, TO-247 1 Egyszeres (1 ajánlat)

Az IGBT technológia új mezőleállító eleme, az IGBT 3. Generációjának új sorozata biztosítja az optimális teljesítményt a napinverter, a UPS, a hegesztő, a távközlés, az ESS és a PFC alkalmazások sz...

onsemi

FGH75T65SHDTL4

kezdő: HUF 1 365,00*
db-ként

ROHM RGT30NS65DGC9 IGBT P-csatornás, 30 A, 650 (minimum) V, 3+Tab-tüskés, TO-262 1 Egyszeres (1 ajánlat)

Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-262 Rögzítés típusa =...

ROHM Semiconductor

RGT30NS65DGC9

kezdő: HUF 633,00*
db-ként

ROHM RGTH80TS65DGC11 IGBT N-csatornás, 70 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Egyszeres (2 ajánlat)

Alacsony kollektor kibocsátó telítés feszültség, nagy sebességű kapcsolás, alacsony kapcsolási veszteség és lágy kapcsolás, beépített, nagyon gyors és lágy visszaállású FRD (RFN sorozat), ólommente...

ROHM Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

kezdő: HUF 711,00*
db-ként

STMicroelectronics AEC-Q101 STGD20N45LZAG IGBT N-csatornás, 25 A, 475 V, 3-tüskés, DPAK 1 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez az alkalmazásspecifikus IGBT a legfejlettebb PowerMESH™ technológiát alkalmazza, amelyet az autóipari gyújtórendszerek kemény környezetben való tekercsmeghajtásához optimalizáltak. Ezek az eszkö...

ST Microelectronics

STGD20N45LZAG

kezdő: HUF 907 923,00*
2 500 db-ként

onsemi HGT1S10N120BNST IGBT N-csatornás, 80 A, 1200 V, 1MHz, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Diszkrét IGBT-k, 1000 V-os és efölötti Fairchild Semiconductor

onsemi

HGT1S10N120BNST

kezdő: HUF 706,00*
db-ként

ROHM RGTV00TS65GC11 IGBT, 95 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 1 Egyszeres (1 ajánlat)

A RGTV00TS65 egy IGBT, alacsony kollektorral - adótelítettségi feszültség, amely PFC, napinverter, UPS, Hegesztés, IH alkalmazások esetén használható.Kollektor-emitter kis maradékfeszültsége A Nagy...

ROHM Semiconductor

RGTV00TS65GC11

kezdő: HUF 2 057,80*
2 db-ként

STMicroelectronics AEC-Q101 STGB20N45LZAG IGBT N-csatornás, 25 A, 475 V, 3-tüskés, D2PAK 1 Egyszeres (2 ajánlat)

Maximális folyamatos kollektoráram = 25 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 475 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 16V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = D2PAK Rögzítés típusa = ...

ST Microelectronics

STGB20N45LZAG

kezdő: HUF 455,00*
db-ként