Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 317 ajánlat 4 308 063 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 60A Kollektoráram az impulzusban: 180A Kapcsolási idő...
Infineon
IKW60N60H3FKSA1
kezdő: HUF 1 900,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGHL75T65MQDT IGBT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 375 W Csomag típusa = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
kezdő: HUF 1 903,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 80A Kollektoráram az impulzusban: 240A Kapcsolási idő: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA60LD40
kezdő: HUF 6 480,00*
db-ként
 
 db
Infineon IKWH70N65WR6XKSA1 IGBT N-csatornás, 70 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247-3-HCC 1 Egyszeres (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247-3-HCC Rögzítés t...
Infineon
IKWH70N65WR6XKSA1
kezdő: HUF 1 178,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4 (2 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-4 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 300A Kapcsolási id...
Infineon
IKZ75N65EL5XKSA1
kezdő: HUF 1 950,00*
db-ként
 
 db
ON Semiconductor optocsatoló DC bemeneti fesz., kimeneti eszk.: IGBT, MOSFET, 1 csatornás, felületre szerelhető, SMT, 8 (1 ajánlat) 
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Kimeneti eszköz = IGBT, MOSFET Maximális nyitóirányú feszültség = 1.8V Csatornák száma = 1 Tüskék száma = 8 Csomag típusa = SMT Bemeneti feszültség típusa = D...
onsemi
FOD3125S
kezdő: HUF 3 058,90*
5 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO220-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 21A Kollektoráram az impulzusban: 60A Kapcsolási idő:...
Infineon
IKP20N65F5XKSA1
kezdő: HUF 522,00*
db-ként
 
 db
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 IGBT N-csatornás, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247-3-HCC 1 Egyszeres (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres Rögzítés típusa = ...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
kezdő: HUF 637,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 64A Kollektoráram az impulzusban: 150A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GN60BDQ2G
kezdő: HUF 3 658,00*
db-ként
 
 db
onsemi NFAM0512L5BT IGBT N-csatornás, 5 A, 1200 V, 39-tüskés, DIP 6 (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor NFAM0512L5BT egy teljesen−-ban integrált inverter teljesítménymodul, amely egy független, magas oldali kapumeghajtóból, LVIC-ből, hat IGBT-ből és egy hőmérséklet-érzékelőből (VTS...
onsemi
NFAM0512L5BT
kezdő: HUF 758 634,8004*
90 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 93A Kollektoráram az impulzusban: 225A Kapcsolási idő: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GN60LDQ3G
kezdő: HUF 4 055,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 650V; 10A; 12W; TO220F; Eoff: 0,13mJ; Eon: 0,18mJ (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO220F kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kol.- emitt. feszültség telítettség: 1,6V Kollektoráram: 10A Ko...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF10B65M2
kezdő: HUF 277,00*
db-ként
 
 db
onsemi AEC-Q101 AFGB40T65SQDN IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK 1 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az új mezővel állítsa le a 4. Generációs IGBT technológiát. Az AGB40T65SQDN optimális teljesítményt nyújt alacsony vezetőveszteség és kapcsolási veszteség mellett is, a nagy hatékonyságú működés ér...
onsemi
AFGB40T65SQDN
kezdő: HUF 711 163,00*
800 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: D2PAK kolektor - emitter feszültség: 650V Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 60A Kapcsolási idő: 4...
Infineon
IKB20N65EH5ATMA1
kezdő: HUF 868,00*
db-ként
 
 db
Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 IGBT N-csatornás, 50 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247-3-HCC 1 Egyszeres (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres Rögzítés típusa = ...
Infineon
IKWH50N65WR6XKSA1
kezdő: HUF 929,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   155   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.