Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (2 316 ajánlat 4 229 477 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „IGBT“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"IGBT"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
ROHM RGS30TSX2HRC11 IGBT, 30 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 30 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Kiosztás = Egyszeres Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
kezdő: HUF 1 414,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 650V Kollektoráram: 90A Tranzisztor típusa: IGBT Teljesítmény elosztás: 325W Fajta csomagolás: tubus
Infineon
IRGP4263DPBF
kezdő: HUF 2 244,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGT80TS65DGC13 IGBT, 70, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT80TS65DGC13
kezdő: HUF 741,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGCL60TS60GC13 IGBT, 48 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 48 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 111 W Kiosztás = Egyszeres ...
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
kezdő: HUF 498 498,60*
600 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 63ns Kikapcsolási...
IXYS
IXBT10N170
kezdő: HUF 2 892,00*
db-ként
 
 db
onsemi FGHL75T65MQDT IGBT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 375 W Csomag típusa = TO-247-3L
onsemi
FGHL75T65MQDT
kezdő: HUF 1 334,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS50TSX2GC11 IGBT, 50 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 395 W Kiosztás = Egyszeres...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2GC11
kezdő: HUF 1 760,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGTH40TS65DGC13 IGBT, 40 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65DGC13
kezdő: HUF 1 266,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 43ns Kikapcsolá...
IXYS
IXBH16N170A
kezdő: HUF 4 210,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGCL80TS60GC13 IGBT, 65 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 65 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
kezdő: HUF 656 270,802*
600 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: ISOPLUS i4-pac™ x024c kolektor - emitter feszültség: 1,6kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 16A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 2...
IXYS
IXBF40N160
kezdő: HUF 7 134,00*
db-ként
 
 db
onsemi NFAQ0560R43T IGBT, 5 A, 600 V, DIP38 400 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 5 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Tranzisztorok száma = 400 Csomag típusa = DIP38
onsemi
NFAQ0560R43T
kezdő: HUF 2 785,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGS80TSX2GC11 IGBT, 80 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 80 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Tranzisztorok száma = 1 Csomag típusa = TO-247N Tüskék száma = 3
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
kezdő: HUF 2 328,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268HV (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268HV kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 40A Kapcsolási idő: 43ns Kikapcsolá...
IXYS
IXBT16N170AHV
kezdő: HUF 4 278,00*
db-ként
 
 db
ROHM RGTH50TS65DGC13 IGBT, 50 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 174 W Kiosztás = Egyszeres ...
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65DGC13
kezdő: HUF 1 312,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   155   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.