ixys a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (12/254 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

IXYS IXGH6N170 IGBT N-csatornás, 6 A, 1700 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat)

IGBT diszkrét, IXYS

IXYS

IXGH6N170

kezdő: HUF 3 101,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFK64N50Q3

kezdő: HUF 7 359,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFH22N60P3

kezdő: HUF 4 136,90*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 Linear Egyszeres Si (1 ajánlat)

N csatornás MOSFET, IXYS lineáris sorozat. N-Channel Power MOSFET-ek kifejezetten lineáris használatra tervezve. Ezek az eszközök kiterjesztett előremeneti érzékenység Biztonságos Működési területt...

IXYS

IXTN62N50L

kezdő: HUF 19 374,00*
db-ként

100%

IXYS IXGP20N120B3 IGBT N-csatornás, 80 A, 1200 V, 20kHz, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

IGBT diszkrét, IXYS

IXYS

IXGP20N120B3

kezdő: HUF 3 085,90*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN82N60P

kezdő: HUF 12 974,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFK24N100Q3

kezdő: HUF 6 777,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 66 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN80N50P

kezdő: HUF 9 706,00*
db-ként

100%

IXYS IXYH20N120C3 IGBT N-csatornás, 40 A, 1200 V, 50kHz, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat. Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyab...

IXYS

IXYH20N120C3

kezdő: HUF 6 921,70*
2 db-ként

100%