Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET-tranzisztor

  MOSFET-tranzisztor  (21 079 ajánlat 4 369 842 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET-tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET-tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 23 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IRLR2703TRPBF
kezdő: HUF 224,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 0,9A; 41,7W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO220 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 0,9A Ellenállás vezetési állapotban: 9Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT1N60
kezdő: HUF 107,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3105KW7TL
kezdő: HUF 3 357,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 3,8A; Idm: 22A; 8W; autóipar (1 ajánlat) 
Gyártó: NEXPERIA Szerelés: SMD Tokozás: SOT223;SC73 Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 3,8A Ellenállás vezetési állapotban: 278mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Alkalmazás: autóipar Teljesítmén...
Nexperia
BUK78150-55A/CUX
kezdő: HUF 70,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 8-tüskés, TDFN4 SUPERFET III (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SUPERFET III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő for...
onsemi
NTMT125N65S3H
kezdő: HUF 1 276,00*
db-ként
 
 db
Infineon IPA60R380P6 tranzisztor 600 V (2 ajánlat)
Infineon
IPA60R380P6XKSA1
kezdő: HUF 308,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 DMTH43 Si (1 ajánlat) 
A DiodesZetex 40V,8 tűs N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális ...
Diodes
DMTH43M8LFG-7
kezdő: HUF 477 594,00*
2 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 240 A, 55 V, 7-tüskés, D2PAK-7 HEXFET (2 ajánlat) 
Ez a Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás eléréséhez szilíciumterületenként. A kialakítás további je...
Infineon
IRF3805STRL-7PP
kezdő: HUF 639,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 36 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat) 
A Vishay SIH070N60EF-T1G3 EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési ve...
Vishay
SIHH070N60EF-T1GE3
kezdő: HUF 1 376,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 1,14A; Idm: 7,6A; 44W; DPAK (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: SMD Tokozás: DPAK Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 1,14A Ellenállás vezetési állapotban: 4,7Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 44W Polaritás: eg...
onsemi
FQD2N60CTM-WS
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO220 Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 37A Ellenállás vezetési állapotban: 16Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 107W Polari...
NTE Electronics
NTE2975
kezdő: HUF 1 126,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24,7 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiS890ADN-T1-GE3
kezdő: HUF 135,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP (1 ajánlat) 
Gyártó: TAIWAN SEMICONDUCTOR Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 10,8A Ellenállás vezetési állapotban: 0,19Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás:...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB190CI C0G
kezdő: HUF 838,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4L SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4L Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmén...
ROHM Semiconductor
SCT3105KRHRC15
kezdő: HUF 3 110,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 55V; 260A; 480W; TO247-3; 60ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 60ns Drén - forrás feszültség: 55V Drén áram: 260A Ellenállás vezetési állapotban: 3,3mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...
IXYS
IXTH260N055T2
kezdő: HUF 1 674,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   681   682   683   684   685   686   687   688   689   690   691   ..   1406   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.