MOSFET-tranzisztor a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (774/1 406 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMP2045U-7

kezdő: HUF 22,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,2 A, 60 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMP6110 Si (1 ajánlat)

A DiodesZetex 60V,6 tűs P csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen a szigorú követelményeknek autóipari alkalmazás. A PPAP által támogatott AEC-Q101 minősítéssel rendelkezik...

Diodes

DMP6110SFDFQ-7

kezdő: HUF 202 642,02*
3 000 db-ként

Infineon IPZ40N04S5-8R4 tranzisztor (1 ajánlat)

Infineon

IPZ40N04S58R4ATMA1

kezdő: HUF 107,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 50A; 79W; PG-TO263-3 (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Tokozás: PG-TO263-3 Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 50A Ellenállás vezetési állapotban: 8,1mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...

Infineon

IPB081N06L3G

kezdő: HUF 267,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = ISC010N04NM6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális kapu küszö...

Infineon

ISC010N04NM6ATMA1

kezdő: HUF 548,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 8,5A; Idm: 85A; 2,1W; SO8 (1 ajánlat)

Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: SMD Tokozás: SO8 Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 8,5A Ellenállás vezetési állapotban: 14,5mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 2,1W ...

Diodes

DMT6011LSS-13

kezdő: HUF 75,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat)

A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)

Vishay

SIHU5N80AE-GE3

kezdő: HUF 157,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 11,4A; 104,2W; PG-TO220-3 (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO220-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 11,4A Ellenállás vezetési állapotban: 0,31Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...

Infineon

IPP65R310CFDXKSA1

kezdő: HUF 465,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPG40PBF

kezdő: HUF 38 502,40*
25 db-ként

Infineon BSC110N06NS3 G tranzisztor 80 V (2 ajánlat)

Infineon

BSC110N06NS3GATMA1

kezdő: HUF 131,00*
db-ként

Infineon IPZ40N04S5-5R4 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPZ40N04S55R4ATMA1

kezdő: HUF 123,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 60V; 58A; 110W; TO220AB (1 ajánlat)

Gyártó: TOSHIBA Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 60V Drén áram: 58A Ellenállás vezetési állapotban: 4,4mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 110W Polaritás:...

Toshiba

TK58E06N1,S1X

kezdő: HUF 257,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 60 V, 4-tüskés, LFPAK, SOT-669 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = LFPAK, SOT-669 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális ny...

Renesas Electronics

RJK0656DPB-00J5

kezdő: HUF 479,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 850 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) E Series Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Vishay

SiHD5N80AE-GE3

kezdő: HUF 268,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 11A; 125W; TO220AB (1 ajánlat)

Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 11A Ellenállás vezetési állapotban: 0,38Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 125W Polaritás:...

onsemi

FCP11N60

kezdő: HUF 672,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 771 772 773 774 775 776 777 778 779 780 781 .. 1406 előre

MOSFET-tranzisztor (21 081 ajánlat 4 316 090 cikkből)

"MOSFET-tranzisztor"