MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (481/780 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 60 V, 6-tüskés, SC-70-6L TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss tényezőhöz hangolva

Vishay

SiA106DJ-T1-GE3

kezdő: HUF 162,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF9640PBF

kezdő: HUF 210,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF8707TRPBF

kezdő: HUF 51,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 30V; 0,3A; Idm: 1,2A; 0,2W (1 ajánlat)

Gyártó: ROHM SEMICONDUCTOR Szerelés: SMD Tokozás: SC70;SOT323 Drén - forrás feszültség: 30V Drén áram: 0,3A Ellenállás vezetési állapotban: 1,1Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: ...

ROHM Semiconductor

RJU003N03FRAT106

kezdő: HUF 90,00*
5 db-ként

Infineon IPA60R125CFD7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPA60R125CFD7XKSA1

kezdő: HUF 920,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) AUIRF Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

Infineon

AUIRF3205ZSTRL

kezdő: HUF 286 208,20*
800 db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 250ns Drén - forrás feszültség: 300V Drén áram: 50A Ellenállás vezetési állapotban: 80mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...

IXYS

IXFH50N30Q3

kezdő: HUF 3 457,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPC50PBF

kezdő: HUF 590,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 55 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Szilikon (2 ajánlat)

A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK, más néven MOSFET tranzisztorok Infineon-je a „fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”;. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A...

Infineon

IRF3205ZSTRLPBF

kezdő: HUF 252,00*
db-ként

Infineon IPP410N30N tranzisztor 300 V (2 ajánlat)

Infineon

IPP410N30NAKSA1

kezdő: HUF 1 532,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FM Egyszeres (2 ajánlat)

Az R6012JNX a nagy teljesítményű MOSFET, amely a gyors visszacsévélési idővel (trr) rendelkezik, amely alkalmas a kapcsolási alkalmazásokhoz.Gyors fordított helyreállási idő (trr) Alacsony bekapcso...

ROHM Semiconductor

R6012JNXC7G

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220F SUPERFET III (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SUPER FET series is brand new high voltage super junction MOSFET that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance...

onsemi

FCPF250N65S3R0L-F154

kezdő: HUF 622,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 5-tüskés, PowerFLAT 8 x 8 HV M6 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = PowerFLAT 8 x 8 HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximál...

ST Microelectronics

STL19N60M6

kezdő: HUF 591,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 110 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...

onsemi

NTBS2D7N06M7

kezdő: HUF 1 104,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 300V; 5,7A; Idm: 36A; 98W; TO220AB (1 ajánlat)

Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Tokozás: TO220AB Drén - forrás feszültség: 300V Drén áram: 5,7A Ellenállás vezetési állapotban: 0,45Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 98W Polaritás:...

onsemi

FQP9N30

kezdő: HUF 367,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 481 482 483 484 485 486 487 488 489 490 491 .. 780 előre

MOSFET (11 688 ajánlat 4 215 288 cikkből)

"MOSFET"