MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (580/780 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 500 V, 3-tüskés, Super-247 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 500 V Csomag típusa = Super-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...

Vishay

SiHFPS40N50L-GE3

kezdő: HUF 2 090,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO220-3 (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: PG-TO220-3 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 22,4A Ellenállás vezetési állapotban: 0,15Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosz...

Infineon

IPP65R150CFDXKSA1

kezdő: HUF 1 220,00*
db-ként

Infineon IPB65R045C7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPB65R045C7ATMA2

kezdő: HUF 2 434,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 8-tüskés, H-PSOF8L SUPERFET III Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H-PSOF8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

onsemi

NTBL082N65S3HF

kezdő: HUF 1 472,00*
db-ként

Infineon IPP60R060P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPP60R060P7XKSA1

kezdő: HUF 53 018,70*
50 db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 650V; 31,2A; 34,7W; TO220FP (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 31,2A Ellenállás vezetési állapotban: 0,11Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...

Infineon

IPA65R110CFDXKSA1

kezdő: HUF 1 188,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres (1 ajánlat)

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charg...

onsemi

NTHL065N65S3F

kezdő: HUF 2 820,00*
db-ként

Infineon IPN70R1K5CE tranzisztor 800 V (1 ajánlat)

Infineon

IPN70R1K5CEATMA1

kezdő: HUF 81,00*
db-ként

Infineon BSZ110N08NS5 tranzisztor 100 V (2 ajánlat)

Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 144,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220AB SiHP052N60EF (2 ajánlat)

A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...

Vishay

SIHP052N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 661,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 NTHL Si (2 ajánlat)

A ON Semiconductor MOSFET vadonatúj−, nagyfeszültségű szuper−junction MOSFET család, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú ellenálláshoz és az als...

onsemi

NTHL065N65S3HF

kezdő: HUF 2 050,00*
db-ként

Infineon BSC117N08NS5 tranzisztor 75 V (1 ajánlat)

Infineon

BSC117N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 1 016,72*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1

Vishay

SQJB46EP-T1_GE3

kezdő: HUF 236,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 48 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247AC SiHG052N60EF (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247AC Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0,052 Ω Csatorna mód ...

Vishay

SIHG052N60EF-GE3

kezdő: HUF 1 594,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SQJA81EP (1 ajánlat)

A Vishay Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C-os MOSFET minősített AEC-Q101.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET

Vishay

SQJA81EP-T1_GE3

kezdő: HUF 390,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 571 572 573 574 575 576 577 578 579 580 581 .. 780 előre

MOSFET (11 688 ajánlat 4 244 335 cikkből)

"MOSFET"