MOSFET a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (610/781 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHT™; egysarkú; 300V; 88A; 600W; TO3P (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO3P Újraéledési idő: 250ns Drén - forrás feszültség: 300V Drén áram: 88A Ellenállás vezetési állapotban: 40mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...

IXYS

IXTQ88N30P

kezdő: HUF 2 808,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 1,9 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat)

PowerTrench® Dual P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesíti...

onsemi

FDC6306P

kezdő: HUF 104,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 150 A, 200 V, 3-tüskés, TO-220 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 200 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...

Vishay

SUP90100E-GE3

kezdő: HUF 710,00*
db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; MDmesh™ V; egysarkú; 650V; 61A; 625W; MAX247 (1 ajánlat)

Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: MAX247 Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 61A Ellenállás vezetési állapotban: 22mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 625W ...

ST Microelectronics

STY112N65M5

kezdő: HUF 10 044,00*
db-ként

Infineon IPD90N04S4-04 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)

Infineon

IPD90N04S404ATMA1

kezdő: HUF 275,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 250 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTJD4001NT1G

kezdő: HUF 38,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 100 A, 30 V, 12-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FS (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAIR 3 x 3FS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 12 Elemek ...

Vishay

SIZF5302DT-T1-RE3

kezdő: HUF 308,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 40 V, 6-tüskés, PowerPAK SO-8L kettős (1 ajánlat)

A Vishay Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 °C-os MOSFET PowerPAK SO-8L tokozással rendelkezik.TrenchFET® power MOSFET AEC-Q101-minősítés 100 % RG és UIS tesztelve

Vishay

SQJ912DEP-T1_GE3

kezdő: HUF 209,00*
db-ként

Infineon IPP17N25S3-100 tranzisztor 250 V (1 ajánlat)

Infineon

IPP17N25S3100AKSA1

kezdő: HUF 662,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 257 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAIR 6 x 5F TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 257 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAIR 6 x 5F Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiZF906BDT-T1-GE3

kezdő: HUF 304,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 18 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212–8 W TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212–8 W Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SQSA70CENW-T1_GE3

kezdő: HUF 138,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Kettős N-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

2N7002BKS,115

kezdő: HUF 5 620,10*
50 db-ként

Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 1,2kV; 16A; 660W; TO247-3 (1 ajánlat)

Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 16A Ellenállás vezetési állapotban: 0,95Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 660W Polaritás: ...

IXYS

IXFH16N120P

kezdő: HUF 4 873,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 11,4 A, 60 V, 8-tüskés, V-DFN3030 (1 ajánlat)

Az új generációs MOSFET-eket úgy tervezték, hogy az alacsony teljesítményszintet (RDS(BE)) is minimalizálják, és kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtanak, így ideális a nagy hatásfokú teljesít...

Diodes

DMT6018LDR-13

kezdő: HUF 132,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 18 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212–8 W TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SQS414CENW-T1_GE3

kezdő: HUF 157,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 .. 781 előre

MOSFET (11 701 ajánlat 4 362 198 cikkből)

"MOSFET"