Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (11 701 ajánlat 4 308 903 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
A Vishay SiZ250DT-T1-GEG egy kettős N-csatornás 60V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség Az optimalizált Qgs/Qgs arány javítja a kapcsolást Je...
Vishay
SiZ250DT-T1-GE3
kezdő: HUF 1 191,145*
5 db-ként
 
 csomagok
Infineon
IPI120N04S402AKSA1
kezdő: HUF 348,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHT™; egysarkú; 200V; 50A; 360W; TO3P (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO3P Újraéledési idő: 150ns Drén - forrás feszültség: 200V Drén áram: 50A Ellenállás vezetési állapotban: 60mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
IXYS
IXTQ50N20P
kezdő: HUF 1 014,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 16.3 A, 850 V, 3-tüskés, TO-247AC E Series Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 16.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
Vishay
SIHG21N80AEF-GE3
kezdő: HUF 620,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 kettős TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiS590DN-T1-GE3
kezdő: HUF 182,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 30 V, 8-tüskés, 3 x 3-as PowerPAIR TrenchFET Si (2 ajánlat) 
TrenchFET® Gen IV power MOSFET A magas oldali és az alacsony oldali MOSFET-tranzisztorok optimalizált kombinációt alkotnak az 50%-os működési ciklus érdekében Az optimalizált RDS-Qg és RDS-Qgd FOM-...
Vishay
SiZ348DT-T1-GE3
kezdő: HUF 137,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 160 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat) 
Kettős P-csatornás MOSFET Nexperia
Nexperia
BSS84AKS,115
kezdő: HUF 23,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; PolarHT™; egysarkú; 250V; 82A; 500W; TO3P (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO3P Újraéledési idő: 200ns Drén - forrás feszültség: 250V Drén áram: 82A Ellenállás vezetési állapotban: 38mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás...
IXYS
IXTQ82N25P
kezdő: HUF 1 907,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SQD40052EL_GE3
kezdő: HUF 147,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 200 A, 40 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SUM40014M-GE3
kezdő: HUF 649,00*
db-ként
 
 db
Infineon
AUIRF7343QTR
kezdő: HUF 1 585 812,00*
4 000 db-ként
 
 csomag
Semelab
D1028UK
kezdő: HUF 1 367 637,00*
20 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: N-MOSFET; Polar™; egysarkú; 800V; 10A; 300W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 800V Drén áram: 10A Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 300W Polaritás: egysarkú Fajta csomagolás: tubus Kapu t...
IXYS
IXFH10N80P
kezdő: HUF 1 217,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 18 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212–8 W TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SQS486CENW-T1_GE3
kezdő: HUF 123,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 18 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212–8 W TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 18 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SQS660CENW-T1_GE3
kezdő: HUF 130,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   611   612   613   614   615   616   617   618   619   620   621   ..   781   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.