Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 043 ajánlat 4 189 244 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „MOSFET“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"MOSFET"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
NDS7002A
kezdő: HUF 18,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 22A; 400W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 22A Ellenállás vezetési állapotban: 0,35Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 400W Polaritás: e...
IXYS
IXFH22N60P
kezdő: HUF 1 704,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 45 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RTR030N05HZGTL
kezdő: HUF 101,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 266 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 266 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Elemek szám...
Vishay
SQJ140ELP-T1_GE3
kezdő: HUF 309,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Újraéledési idő: 140ns Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 24A Ellenállás vezetési állapotban: 0,175Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elo...
IXYS
IXFH24N60X
kezdő: HUF 1 552,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 IPP026N10NF2S (1 ajánlat) 
A Infineon IPP026N10NF2S az N csatornás teljesítmény MOSFET. a mosfet leeresztő forrás feszültsége a 100 V. Sokféle alkalmazást támogat, és a standard érintkezőkiosztás lehetővé teszi a leejtést. E...
Infineon
IPP026N10NF2SAKMA1
kezdő: HUF 1 174,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: SMD Tokozás: D3PAK Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 17A Ellenállás vezetési állapotban: 0,38Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 26...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038SLLG
kezdő: HUF 4 251,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 285 A, 40 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 285 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...
Infineon
BSC010N04LS6ATMA1
kezdő: HUF 569,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 22A; 500W; TO263 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO263 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 22A Ellenállás vezetési állapotban: 390mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 500W Polaritás: egy...
IXYS
IXFA22N60P3
kezdő: HUF 1 187,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 50 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Szilikon (1 ajánlat) 
A HEXFET® teljesítmény MOSFET-EK Infineon-kialakítása a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony szilíciumtérenkénti ellenállás eléréséhez. Ez az előny a HEXFET teljesítmény MOSFET-E...
Infineon
AUIRF7103QTR
kezdő: HUF 359,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 267 A, 60 V, 7-tüskés, TO-263-7 NTBGS1D Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor 60V-os teljesítmény MOSFET 267A leeresztő áram egyetlen N−csatorna. Alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel rendelkezik, és minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket.Alacsony ...
onsemi
NTBGS1D5N06C
kezdő: HUF 1 698,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 24A Ellenállás vezetési állapotban: 99mΩ Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38N60BC6
kezdő: HUF 2 430,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Si (1 ajánlat) 
A Infineon HEXFET sorozat 55V N-csatornás teljesítmény MOSFET. Advanced feldolgozási technikákat alkalmaz a lehető legalacsonyabb szilíciumterületenkénti ellenállás elérése érdekében. Ez a MOSFET g...
Infineon
IRFR4105TRPBF
kezdő: HUF 141,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 Drén - forrás feszültség: 600V Drén áram: 17A Ellenállás vezetési állapotban: 0,38Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038BLLG
kezdő: HUF 3 810,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 288 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 ISC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 288 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1
kezdő: HUF 847,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   1470   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.