Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "sihb17n80aege3"

  sihb17n80aege3  (18 ajánlat 4 156 044 cikkből)

Hasonló keresőfogalmak optimalizált találati listával:
A következő szűrők segítenek a „sihb17n80aege3“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
99%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Vishay
SIHB17N80AE-GE3
kezdő: HUF 491,00*
db-ként
 
 db
99%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 15 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási é...
Vishay
SIHB17N80AE-GE3
kezdő: HUF 590,00*
db-ként
 
 db
96%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Vishay
SIHB17N80E-GE3
kezdő: HUF 945,00*
db-ként
 
 db
96%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)
Vishay
SIHB17N80E-GE3
kezdő: HUF 1 020,00*
db-ként
 
 db
92%
Tranzisztor: N-MOSFET; egysarkú; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP (1 ajánlat) 
Gyártó: VISHAY Szerelés: THT Tokozás: TO220FP Drén - forrás feszültség: 800V Drén áram: 4A Ellenállás vezetési állapotban: 0,29Ω Tranzisztor típusa: N-MOSFET Teljesítmény elosztás: 35W Polaritás: e...
Vishay
SIHA17N80E-GE3
kezdő: HUF 1 256,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SIHP17N80AE-GE3
kezdő: HUF 628,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220AB E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET to-220AB tokozású, 15 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség...
Vishay
SIHP17N80AE-GE3
kezdő: HUF 600,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AC Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.25 Ω Maximális kapu...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
kezdő: HUF 725,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AC E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET TO-247AC tokozású, 15 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
kezdő: HUF 644,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET vékony ólomból 220 FULLPAK tokozású, 7 A-es leeresztődési árammal rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Keveseb...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
kezdő: HUF 571,00*
db-ként
 
 db
92%
MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SIHA17N80AE-GE3
kezdő: HUF 477,00*
db-ként
 
 db
90%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SiHP17N80AEF-GE3
kezdő: HUF 573,00*
db-ként
 
 db
90%
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220AB E Series Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 15 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220AB Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
Vishay
SiHP17N80AEF-GE3
kezdő: HUF 600,00*
db-ként
 
 db
90%
MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként...
Vishay
SiHA17N80AEF-GE3
kezdő: HUF 586,00*
db-ként
 
 db
90%
MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 850 V, 3-tüskés, TO-220 FP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 6,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként...
Vishay
SiHA17N80AEF-GE3
kezdő: HUF 825,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   Összes    oldal: 1   2   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.