Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  > Teljesítmény tranzisztor

  Teljesítmény tranzisztor  (16 511 ajánlat 4 227 106 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Teljesítmény tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Teljesítmény tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT190N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTMT190N65S3HF
kezdő: HUF 1 009,00*
db-ként
 
 db
Modul; tranzisztor/tranzisztor; 1,2kV; 76A; HB9434; csavarható (1 ajánlat) 
Gyártó: DACO Semiconductor Üzemi hőmérséklet: -55...150°C Tokozás: HB9434 Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 1,2kV Drén áram: 76A Ellenállás vezetési állapotban:...
DACO Semiconductor
DACMH120N1200
kezdő: HUF 84 196,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 650 V, 4-tüskés, PQFN4 8 x 8 NTMT090N Si (1 ajánlat) 
A ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET nagyfeszültségű szuper−junction (SJ) MOSFET családdal rendelkezik, amely a töltésegyensúly-technológiát használja a kiemelkedő alacsony bekapcsolt állapotú−el...
onsemi
NTMT090N65S3HF
kezdő: HUF 1 450,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 650V; 90A; ISOTOP; csavarható; 679W (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Tokozás: ISOTOP Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Drén - forrás feszültség: 650V Drén áram: 90A Ellenállás vezetési állapotban: 12mΩ Teljesítmény elosztás: 679W Po...
ST Microelectronics
STE145N65M5
kezdő: HUF 16 155,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPA80R900P7XKSA1
kezdő: HUF 277,00*
db-ként
 
 db
Modul; tranzisztor/tranzisztor; 500V; 38A; SP3F; Press-in PCB (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Tokozás: SP3F Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Drén - forrás feszültség: 500V Drén áram: 38A Ellenállás vezetési állapotban: 78mΩ Teljesítmény elosztás: 39...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM50HM65FT3G
kezdő: HUF 56 652,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 60 V, 8-tüskés, TSDSON-8 FL OptiMOS™ Si (1 ajánlat) 
A Infineon OptiMOS™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET. Kiválóan alkalmas vezeték nélküli töltés, adapter és telekommunikációs alkalmazásokhoz. Az eszközök alacsony kapu töltés (Q g) csökkent...
Infineon
BSZ099N06LS5ATMA1
kezdő: HUF 202,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: STMicroelectronics Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,25kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 80A Tranzisztor típu...
ST Microelectronics
STGW20IH125DF
kezdő: HUF 849,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat) 
A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...
ROHM Semiconductor
SCT3105KW7TL
kezdő: HUF 3 361,00*
db-ként
 
 db
Modul; szimpla tranzisztor; 800V; 39A; SOT227B; csavarható; 694W (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Tokozás: SOT227B Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Újraéledési idő: 250ns Drén - forrás feszültség: 800V Drén áram: 39A Ellenállás vezetési állapotban: 0,19Ω Teljesítmény eloszt...
IXYS
IXFN44N80P
kezdő: HUF 9 700,00*
db-ként
 
 db
Infineon
BSZ180P03NS3GATMA1
kezdő: HUF 446 786,00*
5 000 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: IGBT; 1,1kV; 30A; 166W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,1kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 30A Kollektoráram az impulzusban: 90A Kikapcsolási i...
Infineon
IHW30N110R3FKSA1
kezdő: HUF 1 204,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IPA50R950CEXKSA2
kezdő: HUF 156,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Kollektoráram: 11A Tranzisztor típusa: IGBT Teljesítmény elosztás: 60W Fajta csomagolás: tubus
Infineon
IRG4PH20KPBF
kezdő: HUF 680,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 464 A, 30 V, 5-tüskés, DFN NTMFS0D5N Si (1 ajánlat) 
A teljesítmény MOSFET ON Semiconductor 30V-ja 464 A-t használt a leeresztőáramból egyetlen N−-csatornával. Kiváló hővezetési és javítja a rendszer hatékonyságát.Advanced csomag (5x6 mm) Rendkívül a...
onsemi
NTMFS0D5N03CT1G
kezdő: HUF 1 132,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   1101   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.