Tranzisztor a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (230/519 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

IC: driver; IGBT félhíd,MOSFET félhíd; SO8; -500÷250mA; 10÷20VDC (1 ajánlat)

Gyártó: ONSEMI Szerelés: SMD Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: SO8 Tápfeszültség: 10...20V DC Kimeneti áram: -500...250mA Az integrált áramkör típusa: driver Impulzus növekedési idő: 160ns Im...

onsemi

NCP5109ADR2G

kezdő: HUF 220,00*
db-ként

Bipoláris tranzisztor AFGHL50T65SQDCOS, NPN, 100 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres (1 ajánlat)

A félvezető új hibrid IGBT-i sorozatán alapuló, új helyszíni leállításra szolgáló IGBT és SiC BD technológia optimális teljesítményt nyújt a kemény kapcsolási alkalmazások számára. A készülék egy s...

onsemi

AFGHL50T65SQDC

kezdő: HUF 3 514,00*
db-ként

IC: driver; IGBT félhíd,MOSFET félhíd; high-side,gate driver (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: SO14 Teljesítmény: 1W Tápfeszültség: 10...20V DC Kapcsolási idő: 0,5µs Kikapcsolási idő: 0,5µs Kimeneti áram: -48...

Infineon

IRS2890DSPBF

kezdő: HUF 363,00*
db-ként

Bipoláris tranzisztor AFGHL50T65SQDCOS, NPN, 100 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres (1 ajánlat)

Tranzisztortípus = NPN Maximális DC kollektoráram = 100 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Maximális teljesítménydisszipáció = ...

onsemi

AFGHL50T65SQDC

kezdő: HUF 3 617,00*
db-ként

IC: driver; IGBT 3-fázisú híd; IPM,3 fázisú motorvezérlő; 10A (1 ajánlat)

Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Üzemi hőmérséklet: -40...150°C Tokozás: SPMMC-027 Üzemi feszültség: 13,5...16,5/0...800V Frekvencia: 20kHz kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Kimeneti áram: 10A Az in...

onsemi

FSBB10CH120D

kezdő: HUF 10 695,00*
db-ként

Bipoláris tranzisztor BFR181E6327HTSA1, NPN, 20 mA, 20 V (1 ajánlat)

Tranzisztortípus = NPN Maximális DC kollektoráram = 20 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Elemek száma chipenként = 1

Infineon

BFR181E6327HTSA1

kezdő: HUF 45,00*
db-ként

IC: driver; IGBT félhíd,MOSFET félhíd; low-side,gate driver; SO8 (1 ajánlat)

Gyártó: INFINEON TECHNOLOGIES Szerelés: SMD Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: SO8 Teljesítmény: 625mW Tápfeszültség: 6...20V DC Kapcsolási idő: 85ns Kikapcsolási idő: 65ns Kimeneti áram: -1,5...

Infineon

IR4427STRPBF

kezdő: HUF 425,00*
db-ként

Bipoláris tranzisztor BFR183E6327HTSA1, NPN, 65 mA, 20 V (1 ajánlat)

Tranzisztortípus = NPN Maximális DC kollektoráram = 65 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Elemek száma chipenként = 1

Infineon

BFR183E6327HTSA1

kezdő: HUF 87 426,00*
3 000 db-ként

IC: driver; IGBT félhíd,MOSFET félhíd; SO8; -600÷290mA; Ch: 2; 600V (1 ajánlat)

Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: SMD Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: SO8 Tápfeszültség: 10...20V DC Kimeneti áram: -600...290mA Az integrált áramkör típusa: driver Impulzus növekedési ...

Diodes

DGD2106MS8-13

kezdő: HUF 377,00*
db-ként

Infineon BFP196 tranzisztor (1 ajánlat)

Infineon

BFP196E6327HTSA1

kezdő: HUF 29,00*
db-ként

IC: driver; IGBT félhíd,MOSFET félhíd; SO16-W; -5÷2,5A; Ch: 2 (1 ajánlat)

Gyártó: TEXAS INSTRUMENTS Szerelés: SMD Üzemi hőmérséklet: -40...125°C Tokozás: SO16-W Tápfeszültség: 15...30V DC Kimeneti áram: -5...2,5A Az integrált áramkör típusa: driver Impulzus növekedési id...

Texas Instruments

ISO5452DW

kezdő: HUF 1 139,00*
db-ként

Bipoláris tranzisztor BFP196E6327HTSA1, NPN, 150 mA, 20 V (1 ajánlat)

Tranzisztortípus = NPN Maximális DC kollektoráram = 150 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-143 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Elemek száma chipenként = 1

Infineon

BFP196E6327HTSA1

kezdő: HUF 43,00*
db-ként