Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (9 902 ajánlat 4 370 486 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés

"Tranzisztor"

Gyűjtőfogalmak
Alárendelt fogalmak
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
Infineon DF300R07W2H3B77BPSA1 IGBT-modul, 40 A, 90 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A, 90 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
DF300R07W2H3B77BPSA1
kezdő: HUF 21 818,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 35A Kollektoráram az impulzusban: 105A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GA90BD15
kezdő: HUF 2 468,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L150R07W2E3B11BOMA1 IGBT-modul, 650 A, 150 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 650 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 150 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 335 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
kezdő: HUF 28 266,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO264 kolektor - emitter feszültség: 1,2kV Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 85A Kollektoráram az impulzusban: 340A Kapcsolási idő:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT85GR120L
kezdő: HUF 5 814,00*
db-ként
 
 db
Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT-modul, 150 A, 1200 V 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 150 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 790 W
Infineon
FD150R12RT4HOSA1
kezdő: HUF 39 474,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: SMD Tokozás: TO268 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 3A Kollektoráram az impulzusban: 14A Kapcsolási idő: 91ns Kikapcsolási ...
IXYS
IXGT6N170A
kezdő: HUF 3 894,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF1800R23IE7PBPSA1 IGBT-modul, 1,8 kA, 2300 V, PRIME3+ (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 1,8 kA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 2300 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 2700 kW Csomag típusa = ...
Infineon
SP005678645
kezdő: HUF 572 822,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 600V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 36A Kollektoráram az impulzusban: 109A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT36GA60BD15
kezdő: HUF 2 634,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 70 A, 650 V 4 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
F3L100R07W2H3B11BPSA1
kezdő: HUF 20 330,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: MICROCHIP (MICROSEMI) Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 900V Emitter - kapu feszültség: ±30V Kollektoráram: 43A Kollektoráram az impulzusban: 129A Kapcsolási idő...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT43GA90B
kezdő: HUF 2 432,00*
db-ként
 
 db
Infineon F3L150R12W2H3B11BPSA1 IGBT-modul, 75 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 500 W Csomag típusa = Mo...
Infineon
F3L150R12W2H3B11BPSA1
kezdő: HUF 32 246,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 70A Kapcsolási idő: 0,3µs Kikapcsol...
IXYS
IXGH10N170
kezdő: HUF 1 947,00*
db-ként
 
 db
Infineon FD400R12KE3HOSA1 IGBT, 400 A, 1200 V, 5-tüskés (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 400 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 2 kW Rögzítés típusa = Pa...
Infineon
FD400R12KE3HOSA1
kezdő: HUF 68 992,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: IGBT; NPT; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 ajánlat) 
Gyártó: IXYS Szerelés: THT Tokozás: TO247-3 kolektor - emitter feszültség: 1,7kV Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 6A Kollektoráram az impulzusban: 14A Kapcsolási idő: 91ns Kikapcsolás...
IXYS
IXGH6N170A
kezdő: HUF 3 038,00*
db-ként
 
 db
Infineon FF200R12KE4HOSA1 IGBT-modul, 240 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 240 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 1,1 kW Csomag típusa = ...
Infineon
FF200R12KE4HOSA1
kezdő: HUF 37 251,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   661   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.