Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  > Tranzisztor

  Tranzisztor  (7 815 ajánlat 4 149 470 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „Tranzisztor“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Áttekintés
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 1,5kV; 8A; 50W; TO3PFM (1 ajánlat) 
Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO3PFM kolektor - emitter feszültség: 1,5kV Kollektoráram: 8A Tranzisztor típusa: NPN Teljesítmény elosztás: 50W Polaritás: bipoláris
NTE Electronics
NTE2636
kezdő: HUF 1 326,00*
db-ként
 
 db
Infineon FS75R12KE3BPSA1 IGBT, 1200 V, AG-ECONO2B-311 (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 350 W Csomag típusa = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS75R12KE3BPSA1
kezdő: HUF 41 792,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 150V; 2A; 25W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: NTE Electronics Szerelés: THT Tokozás: TO220 Frekvencia: 8MHz kolektor - emitter feszültség: 150V Tranzisztor erősítése: 100...200 Kollektoráram: 2A Tranzisztor típusa: NPN Teljesítmény elo...
NTE Electronics
NTE375
kezdő: HUF 588,00*
db-ként
 
 db
Infineon FS75R12KT3GBOSA1 IGBT-modul, 100 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 100 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 355 W Csomag típusa = M...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
kezdő: HUF 66 628,00*
db-ként
 
 db
Infineon IGD06N60TATMA1 IGBT N-csatornás, 12 A, 600 V, 3-tüskés, PG-TO252 1 Egyszeres (1 ajánlat) 
A Infineon IGD06N60T nagyon puha, gyors helyreállás anti-párhuzamos emitter vezérelt dióda, és nagy robusztusság, hőmérséklet stabil viselkedés. Alacsony kapcsolási veszteséggel rendelkezik.Nagyon ...
Infineon
IGD06N60TATMA1
kezdő: HUF 136,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 11V; 50mA; 150mW; SC75A,SOT416 (1 ajánlat) 
Gyártó: ROHM SEMICONDUCTOR Szerelés: SMD Tokozás: SOT416;SC75A Frekvencia: 3,2GHz kolektor - emitter feszültség: 11V Tranzisztor erősítése: 56...180 Kollektoráram: 50mA Tranzisztor típusa: NPN Telj...
ROHM Semiconductor
2SC4726TLP
kezdő: HUF 113,00*
5 db-ként
 
 csomag
Infineon IGW75N65H5XKSA1 IGBT N-csatornás, 75 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 1 (1 ajánlat) 
A Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technológia a kategóriájában a legjobb IGBT-t újradefiniálja, ami alacsonyabb csomópontot és tokhőmérsékletet eredményez, ami nagyobb megbízhatósághoz vezet azáltal, hog...
Infineon
IGW75N65H5XKSA1
kezdő: HUF 39 001,3002*
30 db-ként
 
 csomag
onsemi TIP33CG Darlington tranzisztor, NPN, 10 (folyamatos) A, 15 (Peak) A, 100 V DC, HFE:20, 3-tüskés, TO-218 Egyszeres (2 ajánlat) 
Tranzisztortípus = NPN Maximális folyamatos kollektoráram = 10 (folyamatos) A, 15 (Peak) A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 100 V DC Maximális kibocsátó alapfeszültség = 5 V DC Csomag típ...
onsemi
TIP33CG
kezdő: HUF 431,00*
db-ként
 
 db
Infineon FS75R12KT3BPSA1 IGBT, 1200 V, AG-ECONO2B-311 (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20V Maximális teljesítménydisszipáció = 355 W Csomag típusa = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS75R12KT3BPSA1
kezdő: HUF 41 894,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 150V; 7A; 2/60W; TO220 (1 ajánlat) 
Gyártó: CDIL Szerelés: THT Tokozás: TO220 Frekvencia: 10MHz kolektor - emitter feszültség: 150V Tranzisztor erősítése: 10 Kollektoráram: 7A Kollektoráram az impulzusban: 15A Tranzisztor típusa: NPN...
CDIL
BU407
kezdő: HUF 91,00*
db-ként
 
 db
Infineon FS75R12KT4B15BPSA1 IGBT-modul, 1200 V, AG-ECONO2B-411 (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±20.0V Csomag típusa = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS75R12KT4B15BPSA1
kezdő: HUF 37 859,00*
db-ként
 
 db
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 120V; 0,1A; 0,15W; SC59 (1 ajánlat) 
Gyártó: TOSHIBA Szerelés: SMD Tokozás: SC59 Frekvencia: 100MHz kolektor - emitter feszültség: 120V Tranzisztor erősítése: 350...700 Kollektoráram: 0,1A Tranzisztor típusa: NPN Teljesítmény elosztás...
Toshiba
2SC2713-BL(TE85L,F
kezdő: HUF 210,00*
10 db-ként
 
 csomag
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 100V; 1A; 0,8W; TO92 (1 ajánlat) 
Gyártó: ONSEMI Szerelés: THT Tokozás: TO92 kolektor - emitter feszültség: 100V Kollektoráram: 1A Tranzisztor típusa: NPN Teljesítmény elosztás: 0,8W Polaritás: bipoláris Fajta csomagolás: ömlesztve
onsemi
BC63916-D27Z
kezdő: HUF 48,00*
db-ként
 
 db
Infineon FS75R12N2T7B15BPSA2 IGBT, 75 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 75 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 20 mW
Infineon
FS75R12N2T7B15BPSA2
kezdő: HUF 37 272,00*
db-ként
 
 db
Infineon FS75R12W2T4BOMA1 IGBT-modul, 107 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 107 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 1200 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = +/-20V Maximális teljesítménydisszipáció = 375 W Csomag típusa = M...
Infineon
FS75R12W2T4BOMA1
kezdő: HUF 21 401,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   341   342   343   344   345   346   347   348   349   350   351   ..   521   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.