Áttekintés | "Tranzisztor"Gyűjtőfogalmak Alárendelt fogalmak |
| | | | | | | Kép | | | | Megrendelés | | | |
|
ST Microelectronics STGSB200M65DF2AG |
kezdő: HUF 987 512,00* 200 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 9,40* db-ként |
| |
ROHM RGTH80TS65GC13 IGBT, 70 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) Maximális folyamatos kollektoráram = 70 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 234 W Csomag típusa = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65GC13 |
kezdő: HUF 1 106,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 8,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 10,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 10,30* db-ként |
| |
|
ST Microelectronics STGW100H65FB2-4 |
kezdő: HUF 1 732,00* db-ként |
| |
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 45V; 0,5A; 0,3W; SOT23 (1 ajánlat) Gyártó: YANGJIE TECHNOLOGY Szerelés: SMD Tokozás: SOT23 Frekvencia: 100MHz kolektor - emitter feszültség: 45V Tranzisztor erősítése: 160...400 Kollektoráram: 0,5A Tranzisztor típusa: NPN Teljesítmé... |
YANGJIE TECHNOLOGY BC817-25 |
kezdő: HUF 4,70* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 8,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 6,00* db-ként |
| |
|
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
kezdő: HUF 545,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 6,00* db-ként |
| |
|
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
kezdő: HUF 1 503,00* db-ként |
| |
|
YANGJIE TECHNOLOGY BC817-16Q |
kezdő: HUF 6,70* db-ként |
| |
Tranzisztor: NPN; bipoláris; 45V; 0,5A; 310mW; SOT23 (1 ajánlat) Gyártó: DIODES INCORPORATED Szerelés: SMD Tokozás: SOT23 Frekvencia: 100MHz kolektor - emitter feszültség: 45V Kollektoráram: 0,5A Tranzisztor típusa: NPN Teljesítmény elosztás: 0,31W Polaritás: bi... |
|
kezdő: HUF 15,70* db-ként |
| |
|