| | | | | |
| Kép | | | | Megrendelés |
|
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 4 230,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 1 402,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 2 821,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 829,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 446 646,90* 30 db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 567,00* db-ként |
|
100% |
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 319 843,00* db-ként |
|
100% |
|
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 37 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1 |
|
kezdő: HUF 3 366,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 1 204,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 158 385,8001* 30 db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 11 749,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 134 762,5002* 30 db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 34 051,00* db-ként |
|
100% |
|
|
|
kezdő: HUF 142 211,60* 50 db-ként |
|
100% |
|
MOSFET, 1 elem/chip, 37 A, 650 V, 4-tüskés, TO-247-4 (2 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 37 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Elemek száma chipenként = 1 |
|
kezdő: HUF 3 454,00* db-ként |
|
|