Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 3,4 A, 55 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-124-8750
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7342TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043041599
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = P
Maximális folyamatos nyelőáram = 3,4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 170 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 1V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél = 26 nC 10 V esetén

Kettős P-csatornás MOSFET végerősítő Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponens sűrűségű kialakításokban, ahol az alaplap térereje a csúcson van. Többféle csomag közül lehet választani, és a tervezők választhatják a kettős P-csatorna konfigurációját.
További keresőfogalmak: 1248750, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7342TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 143,00*
  
Az ár 40 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 4 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 4000 db
HUF 166,00*
HUF 211,00
db-ként
kezdő: 8000 db
HUF 158,00*
HUF 201,00
db-ként
kezdő: 20000 db
HUF 150,00*
HUF 191,00
db-ként
kezdő: 40000 db
HUF 143,00*
HUF 182,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.