Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 7,8 A, 8,9 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-130-0963
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7905TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043435558
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N
Maximális folyamatos nyelőáram = 7,8 A, 8,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 21.3 mΩ, 29.3 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.25V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1.35V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Kapu jellemző töltése Vgs feszültségnél = 4,6 nC 4,5 V esetén, 6,9 nC 4,5 V esetén

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További keresőfogalmak: 1300963, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7905TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
raktáron raktáron
kezdő: HUF 147,00*
  
Az ár 2 500 db-től érvényes
Megrendelések csak a 10 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 10 db
HUF 275,00*
HUF 349,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 182,00*
HUF 231,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 162,00*
HUF 206,00
db-ként
kezdő: 1000 db
HUF 151,00*
HUF 192,00
db-ként
kezdő: 2500 db
HUF 147,00*
HUF 187,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.