Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 9,1 A, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-130-0964
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7907TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043050317
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N
Maximális folyamatos nyelőáram = 9,1 A, 11 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 13.7 mΩ, 20.5 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.35V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1.35V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Szélesség = 4mm

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További keresőfogalmak: 1300964, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7907TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
raktáron raktáron
kezdő: HUF 170,00*
  
Az ár 2 500 db-től érvényes
Megrendelések csak a 10 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 10 db
HUF 332,00*
HUF 422,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 237,00*
HUF 301,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 192,00*
HUF 244,00
db-ként
kezdő: 1000 db
HUF 174,00*
HUF 221,00
db-ként
kezdő: 2500 db
HUF 170,00*
HUF 216,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.